[发明专利]量测图像与设计之间的模拟辅助的对准在审
申请号: | 202110926110.0 | 申请日: | 2017-12-06 |
公开(公告)号: | CN113608416A | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 王德胜 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 胡良均 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 设计 之间 模拟 辅助 对准 | ||
一种方法包括:使用设计布局的特性和图案化过程的特性来模拟图像或图像的特性;确定所述图像或图像的特性与所述设计布局或设计布局的特性之间的偏差;基于所述偏差使从经图案化的衬底获得的量测图像与所述设计布局对准,其中所述经图案化的衬底包括使用图案化过程由所述设计布局产生的图案;和根据与所述设计布局对准的所述量测图像确定经图案化的衬底的参数。
本申请是国际申请PCT/EP2017/081695于2019年6月27日进入中国国家阶段、申请号为201780081217.1的发明申请的分案申请。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年12月28日递交的US申请No.62/439,690的优选权,该US申请的全部内容以引用的方式并入本发明中。
技术领域
本公开内容涉及一种用于测量衬底上的由图案化过程形成的图案的方法和设备。
背景技术
光刻设备为将所期望的图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(IC)或其它器件的制造中。在那种情况下,图案形成装置(其替代地被称作掩模或掩模版)可以用以产生待形成于IC的单层上的图案。可以将该图案转印至衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的部分、一个管芯或几个管芯)上。通常经由将图案成像至提供于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行图案的转印。一般而言,单个衬底将包括依次图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括:所谓的步进器,其中一次性将整个图案曝光至目标部分上来辐照每一目标部分;和所谓的扫描器,其中在给定方向(“扫描”方向)上通过辐射束扫描图案同时平行或反向平行于所述方向同步地扫描衬底来辐照每一目标部分。也有可能将图案压印至衬底上而将图案从图案形成装置转印至衬底。
为了监视图案化过程(即,涉及光刻术的器件制造过程,包括例如抗蚀剂处理、蚀刻、显影、焙烤等)的一个或更多个步骤,检查经图案化的衬底且确定经图案化的衬底的一个或更多个参数。例如,该一个或更多个参数可以包括边缘置放误差(EPE),其为形成于衬底上的图案的边缘与所述图案的所预期的设计的对应边缘之间的距离。可对产品衬底自身的图案和/或对提供于衬底上的专用量测目标执行这一测量。存在用于对在图案化过程中形成的微观结构进行测量的各种技术,包括使用扫描电子显微镜(SEM)和/或各种专用工具。
发明内容
在一方面中,提供了一种方法,包括:使用设计布局的特性和图案化过程的特性来模拟图像或图像的特性;确定所述图像或图像的特性与设计布局或设计布局的特性之间的偏差;基于所述偏差使从经图案化的衬底获得的量测图像与所述设计布局对准,其中所述经图案化的衬底包括使用该图案化过程由所述设计布局产生的图案;和根据与所述设计布局对准的所述量测图像确定经图案化的衬底的参数。
根据实施例,所述方法还包括基于所述参数调整所述设计布局、包括所述设计布局的图案形成装置或所述图案化过程。
根据实施例,模拟所述图像或所述图像的特性还包括使用分辨率增强技术的特性或图案形成装置的特性。
根据实施例,所述分辨度增强技术配置成将辅助特征放至所述设计布局中。
根据实施例,所述图案形成装置的所述特性包括所述图案形成装置上的图案的变形。
根据实施例,所述偏差介于所述设计布局的映射参考物与所述图像的对应映射参考物之间。
根据实施例,所述映射参考物包括轮廓中的边缘。
根据实施例,所述图像为空间图像、抗蚀剂图像或蚀刻的图像。
根据实施例,所述偏差包括边缘置放误差。
根据实施例,所述量测图像为扫描电子显微图像。
根据实施例,所述量测图像为像素化的图像。
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