[发明专利]发射模组、射频系统及通信设备有效

专利信息
申请号: 202110927508.6 申请日: 2021-08-12
公开(公告)号: CN113676192B 公开(公告)日: 2023-01-06
发明(设计)人: 陈锋;仝林 申请(专利权)人: OPPO广东移动通信有限公司
主分类号: H04B1/00 分类号: H04B1/00;H04B1/04;H04B1/401;H04W88/06
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 熊永强
地址: 523860 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发射 模组 射频 系统 通信 设备
【权利要求书】:

1.一种发射模组,其特征在于,包括:

中高频放大电路,被配置为经第一选择开关接收射频收发器的全球移动通信系统GSM高频发射信号,并对所述GSM高频发射信号进行放大处理,经第一滤波器、降噪单元、第二选择开关和第一耦合器输出至中高频天线端口;或者,被配置为经所述第一选择开关接收所述射频收发器的目标中频发射信号,对所述目标中频发射信号进行放大处理并输出至目标中频发送端口,所述目标中频发射信号为目标中频信号,所述目标中频信号包括第三代3G网络、第四代4G网络、第五代5G网络中任一网络的中频信号;

GSM低频放大电路,被配置为接收所述射频收发器的GSM低频发射信号,并对所述GSM低频发射信号进行放大处理,经第二滤波器、第三选择开关和第二耦合器输出至低频天线端口;

其中,所述中高频放大电路包括第一中高频功率放大器、中高频匹配电路、第二中高频功率放大器、第四选择开关和第三中高频功率放大器,其中,所述第四选择开关为SPZT开关,Z为大于1的整数,所述第一中高频功率放大器的输入端连接所述第一选择开关的P端口,所述第一中高频功率放大器的输出端连接所述中高频匹配电路的输入端,所述中高频匹配电路的输出端连接所述第二中高频功率放大器的输入端,所述第二中高频功率放大器的输出端连接所述SPZT开关的P端口,所述SPZT开关的第一个T端口与所述第三中高频功率放大器的输入端连接,第二个至第Z个T端口一一对应连接所述目标中频发送端口。

2.根据权利要求1所述的发射模组,其特征在于,所述第一选择开关为SPDT开关,所述SPDT开关的P端口连接所述中高频放大电路的输入端,两个T端口分别连接用于接收所述GSM高频发射信号和所述目标中频发射信号的两个端口;

所述第二选择开关为SPXT开关,X为大于1的整数,所述SPXT开关的P端口连接第一耦合器,第一个T端口连接所述降噪单元,第二个至第X个T端口一一对应连接所述发射模组的中高频收发端口;

所述第三选择开关为SPYT开关,Y为大于1的整数,所述SPYT开关的P端口连接第二耦合器,第一个T端口连接所述第二滤波器,第二个至第Y个T端口一一对应连接所述发射模组的目标低频收发端口。

3.根据权利要求1所述的发射模组,其特征在于,所述中高频收发端口用于接收或者发送目标中高频信号,所述目标中高频信号包括所述目标中频信号或者目标高频信号,所述目标高频信号包括所述3G网络、所述4G网络、所述5G网络中任一网络的高频信号,目标低频收发端口用于接收或者发送目标低频信号,所述目标低频信号包括所述3G网络、所述4G网络、所述5G网络中任一网络的低频信号。

4.根据权利要求1所述的发射模组,其特征在于,所述GSM低频放大电路包括第一GSM低频功率放大器、第一GSM低频匹配电路、第二GSM低频功率放大器、第二GSM低频匹配电路和第三GSM低频功率放大器,所述第一GSM低频功率放大器的输入端连接所述发射模组的GSM低频接收端口,所述第一GSM低频功率放大器的输出端连接所述第一GSM低频匹配电路的输入端,所述第一GSM低频匹配电路的输出端连接所述第二GSM低频功率放大器的输入端,所述第二GSM低频功率放大器的输出端连接所述第二GSM低频匹配电路的输入端,所述第二GSM低频匹配电路的输出端连接所述第三GSM低频功率放大器的输入端,所述GSM低频功率放大器的输出端连接所述第二滤波器的第一端。

5.根据权利要求4所述的发射模组,其特征在于,所述发射模组还被配置有VCC供电端口;所述VCC供电端口连接合路端口,所述合路端口为所述中高频放大电路的所述第一中高频功率放大器、所述第二中高频功率放大器、所述第三中高频功率放大器、所述GSM低频放大电路中的所述第一GSM低频功率放大器、所述第二GSM低频功率放大器、所述第二GSM低频功率放大器的电源端口合路后的内部端口。

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