[发明专利]能消除衬底电压影响的多晶电阻匹配方法及电路在审
申请号: | 202110928656.X | 申请日: | 2021-08-13 |
公开(公告)号: | CN113672018A | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 陈炳杰 | 申请(专利权)人: | 北京同芯科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 无锡永乐唯勤专利代理事务所(普通合伙) 32369 | 代理人: | 章陆一 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 消除 衬底 电压 影响 多晶 电阻 匹配 方法 电路 | ||
1.一种能消除衬底电压影响的多晶电阻匹配方法,其特征是:包括第一电阻单元以及待与所述第一电阻单元匹配的第二电阻单元,第一电阻单元内包括n个基准电阻,第二电阻单元均包括m个基准电阻,n≥1,m≥1,基准电阻内的电阻体均采用多晶电阻;
第一电阻单元中,n个基准电阻依次排布,其中,n个基准电阻内的电阻体间依次串接且n个基准电阻内的衬底间依次串接;n个基准电阻内的电阻体串接后,通过第一电阻单元第一电阻连接电极以及第一电阻单元第二电阻连接电极与串接后的电阻体适配电连接;n个基准电阻内的衬底串接后,通过第一电阻单元第一衬底连接电极以及第一电阻单元第二衬底连接电极与串接后的衬底适配电连接,第一电阻单元第一衬底连接电极、第一电阻单元第一电阻连接电极分别与同一基准电阻的衬底、电阻体电连接,第一电阻单元第二衬底连接电极、第一电阻单元第二电阻连接电极分别与另一基准电阻的衬底、电阻体电连接;
第二电阻单元中,m个基准电阻依次排布,其中,m个基准电阻内的电阻体间依次串接且m个基准电阻内的衬底间依次串接;m个基准电阻内的电阻体串接后,通过第二电阻单元第一电阻连接电极以及第二电阻单元第二电阻连接电极与串接后的电阻体适配电连接;m个基准电阻内的衬底串接后,通过第二电阻单元第一衬底连接电极以及第二电阻单元第二衬底连接电极与串接后的衬底适配电连接,第二电阻单元第一衬底连接电极、第二电阻单元第一电阻连接电极分别与同一基准电阻的衬底、电阻体电连接,第二电阻单元第二衬底连接电极、第二电阻单元第二电阻连接电极分别与另一基准电阻的衬底、电阻体电连接;
将第一电阻单元第一电阻连接电极与第一电阻单元第一衬底连接电极设置为等电位,将第一电阻单元第二电阻连接电极与第一电阻单元第二衬底连接电极设置为等电位,以能使得第一电阻单元内串接后的电阻体与串接后的衬底间具有相同的电位变化趋势;
将第二电阻单元第一电阻连接电极与第二电阻单元第一衬底连接电极设置为等电位,将第二电阻单元第二电阻连接电极与第二电阻单元第二衬底连接电极设置为等电位,以能使得第二电阻单元中串接后的电阻体与串接后的衬底间具有相同的电位变化趋势,以达到第二电阻单元与第一电阻单元间的有效匹配。
2.根据权利要求1所述的能消除衬底电压影响的多晶电阻匹配方法,其特征是:对所述基准电阻,所述电阻体支撑于所述衬底内的电阻体隔离区上,电阻体通过电阻体隔离区与衬底隔离;在所述电阻体的一端设置电阻体第一连接电极,在所述电阻体的另一端设置电阻体第二连接电极;
在衬底上设置衬底第一连接电极以及衬底第二连接电极,衬底第一连接电极邻近电阻体第一连接电极且位于所述电阻体第一连接电极的外侧,衬底第二连接电极邻近电阻体第二连接电极且位于所述电阻体第二连接电极的外侧。
3.根据权利要求2所述的能消除衬底电压影响的多晶电阻匹配方法,其特征是:第一电阻单元中,n个基准电阻内的电阻体串接时,对相邻的两个基准电阻,一基准电阻内电阻体的电阻体第二连接电极通过电阻体间金属连接电极与另一基准电阻内电阻体的电阻体第二连接电极或电阻体第一连接电极电连接;
所有基准电阻内的电阻体依次串接后,第一电阻单元第一电阻连接电极与串接后电阻体内首部的基准电阻的电阻体第一连接电极或电阻体第二连接电极电连接,第一电阻单元第二电阻连接电极与串接后电阻体内尾部的部基准电阻的电阻体第一连接电极或电阻体第二连接电极电连接;
n个基准电阻内的衬底串接时,对相邻的两个基准电阻,一基准电阻内衬底的衬底第一连接电极通过衬底间金属连接电极与另一基准电阻内衬底的衬底第一连接电极或衬底第二连接电极电连接;
所有基准电阻内的衬底依次串接后,第一电阻单元第一衬底连接电极与串接后衬底内首部的基准电阻的衬底第一连接电极或衬底第二连接电极电连接,第一电阻单元第二衬底连接电极与串接后衬底内尾部的基准电阻的衬底第一连接电极或衬底第二连接电极电连接。
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