[发明专利]显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，包括：

基础衬底，所述基础衬底包括顺序地层叠的第一衬底和第二衬底；

下半导体层，所述下半导体层布置在所述第一衬底和所述第二衬底中的至少一个上；

缓冲层，所述缓冲层布置在所述基础衬底上；

有源半导体层，所述有源半导体层布置在所述缓冲层上并且包括第一晶体管的第一有源层和第二晶体管的第二有源层；

第一绝缘层，所述第一绝缘层布置在所述有源半导体层上；以及

第一导电层，所述第一导电层布置在所述第一绝缘层上并且包括所述第一晶体管的第一栅电极和所述第二晶体管的第二栅电极，

其中，所述下半导体层与所述第一有源层重叠，并且不与所述第二有源层重叠。

2.如权利要求1所述的显示装置，还包括：

发光元件，

其中，所述第一晶体管包括第一电极和第二电极并且根据施加到所述第一栅电极的电压来控制从所述第一电极向所述第二电极流动的驱动电流，

其中，所述第二晶体管布置在所述第一晶体管的所述第一栅电极与所述第二电极之间，以及

其中，所述发光元件电连接到所述第一晶体管的所述第二电极并且根据所述驱动电流来发射光。

3.如权利要求1所述的显示装置，

其中，所述下半导体层包括非晶硅。

4.如权利要求3所述的显示装置，

其中，所述有源半导体层包括多晶硅和氧化物半导体中的至少一种。

5.如权利要求1所述的显示装置，

其中，所述下半导体层包括在厚度方向上与所述第二晶体管的沟道区的至少一部分重叠的开口。

6.如权利要求1所述的显示装置，

其中，所述下半导体层布置在所述第一衬底与所述第二衬底之间，以及

其中，所述下半导体层具有在1nm至5nm的范围内的厚度。

7.如权利要求1所述的显示装置，

其中，所述下半导体层布置在所述第一衬底和所述第二衬底上方，以及

其中，所述下半导体层具有在20nm至50nm的范围内的厚度。

8.如权利要求1所述的显示装置，还包括：

第二绝缘层，所述第二绝缘层布置在所述第一导电层上；以及

遮光图案，所述遮光图案布置在所述第二绝缘层上并且与所述第二晶体管的所述第二有源层至少部分地重叠，

其中，相同的电压施加到所述遮光图案和所述第二晶体管的所述第二栅电极。

9.如权利要求8所述的显示装置，还包括：

第三绝缘层，所述第三绝缘层布置在所述遮光图案上；以及

第二导电层，所述第二导电层布置在所述第三绝缘层上并且包括连接图案，

其中，所述第一导电层还包括第一扫描线，所述第一扫描线电连接到所述第二晶体管的所述第二栅电极，以及

其中，所述连接图案通过穿透所述第三绝缘层以暴露所述遮光图案的第一接触孔电连接到所述遮光图案，并且还通过穿透所述第三绝缘层和所述第二绝缘层以暴露所述第一扫描线的第二接触孔电连接到所述第一扫描线。

10.如权利要求9所述的显示装置，

其中，扫描信号施加到所述遮光图案和所述第二晶体管的所述第二栅电极。

11.如权利要求10所述的显示装置，其中，所述第二导电层还包括所述第一晶体管的第一电极和第二电极。

12.如权利要求8所述的显示装置，

其中，所述第一导电层还包括第一扫描线，所述第一扫描线电连接到所述第二晶体管的所述第二栅电极，

其中，所述遮光图案与所述第一扫描线重叠，以及

其中，在与所述第一扫描线重叠的区域中，所述遮光图案通过穿透所述第二绝缘层以暴露所述第一扫描线的第三接触孔电连接到所述第一扫描线。