[发明专利]阵列基板及显示面板有效
申请号: | 202110929935.8 | 申请日: | 2021-08-13 |
公开(公告)号: | CN113690252B | 公开(公告)日: | 2023-10-17 |
发明(设计)人: | 吕晓文;赵丽 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/123;G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
多条扫描线;
多条数据线,包括多条第一数据线和多条第二数据线,多条所述数据线和多条所述扫描线交叉形成多个像素区域;在同一画面帧中,所述第一数据线和所述第二数据线中的一者用于接入正极性信号,所述第一数据线和所述第二数据线中的另一者用于接入负极性信号;
多个像素电极,所述像素电极设置在所述像素区域中,多个所述像素电极包括多个第一像素电极和多个第二像素电极,所述第一像素电极电连接于所述第一数据线,所述第二像素电极电连接于所述第二数据线;所述第一像素电极包括第一子像素电极,所述第二像素电极包括第二子像素电极;
第一共享电极,所述第一共享电极用于接入与所述第一数据线相同极性的信号,所述第一子像素电极通过第一共享薄膜晶体管连接于所述第一共享电极;以及
第二共享电极,所述第二共享电极用于接入与所述第二数据线相同极性的信号,所述第二子像素电极通过第二共享薄膜晶体管连接于所述第二共享电极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括第一薄膜晶体管和第一存储电容;
所述第一薄膜晶体管的栅极连接于所述扫描线,所述第一薄膜晶体管的源极连接于所述第一数据线,所述第一薄膜晶体管的漏极分别连接于所述第一存储电容、所述第一子像素电极和所述第一共享薄膜晶体管的源极;
所述第一共享薄膜晶体管的栅极连接于所述扫描线,所述第一共享薄膜晶体管的漏极连接于所述第一共享电极。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一像素电极还包括第一主像素电极;所述阵列基板还包括第二薄膜晶体管和第二存储电容;
所述第二薄膜晶体管的栅极连接于所述扫描线,所述第二薄膜晶体管的源极连接于所述第一数据线,所述第二薄膜晶体管的漏极分别连接于所述第二存储电容、所述第一主像素电极。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括第三薄膜晶体管和第三存储电容;
所述第三薄膜晶体管的栅极连接于所述扫描线,所述第三薄膜晶体管的源极连接于所述第二数据线,所述第三薄膜晶体管的漏极分别连接于所述第三存储电容、所述第二子像素电极和所述第二共享薄膜晶体管的源极;
所述第二共享薄膜晶体管的栅极连接于所述扫描线,所述第二共享薄膜晶体管的漏极连接于所述第二共享电极。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第二像素电极还包括第二主像素电极;所述阵列基板还包括第四薄膜晶体管和第四存储电容;
所述第四薄膜晶体管的栅极连接于所述扫描线,所述第四薄膜晶体管的源极连接于所述第二数据线,所述第四薄膜晶体管的漏极分别连接于所述第四存储电容、所述第二主像素电极。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括与所述扫描线同层设置的第一公共电极和第二公共电极,所述第一公共电极的部分与所述第一子像素电极重叠设置形成所述第一存储电容;所述第一公共电极的部分与所述第一主像素电极重叠设置形成所述第二存储电容;
所述第二公共电极的部分与所述第二子像素电极重叠设置形成所述第三存储电容;所述第二公共电极的部分与所述第二主像素电极重叠设置形成所述第四存储电容。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共电极和所述第二公共电极连接于同一所述扫描线。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一数据线和所述第二数据线沿着第一方向交替排列设置;所述第一共享电极和所述第二共享电极沿着所述第一方向交替排列设置;
多个所述第一像素电极沿着第二方向排列成第一排,多个所述第二像素电极沿着所述第二方向排列成第二排;所述第一排和所述第二排沿着所述第一方向交替排列设置,所述第一方向与所述第二方向相交;
所述第一排的所述第一子像素电极电性连接于所述第一共享电极,所述第二排的所述第二子像素电极电性连接于所述第二共享电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL华星光电技术有限公司,未经TCL华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110929935.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:阵列基板的制作方法与显示装置
- 下一篇:一种造纸用造纸助剂均匀稀释装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的