[发明专利]一种中性密度片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110930589.5 | 申请日： | 2021-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN113651545A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 朱元强;陈钢;叶沈航 | 申请（专利权）人： | 福建福特科光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/36 | 分类号： | C03C17/36 |
| 代理公司： | 福州市博深专利事务所(普通合伙) 35214 | 代理人： | 黄宏彪 |
| 地址： | 350000 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 中性 密度 及其 制备 方法 | ||
1.一种中性密度片，包括依次层叠设置的玻璃基板、金属吸收膜层和介质增透膜层，其特征在于，所述介质增透膜层包括依次层叠设置的第一TiO2介质层、第一MgF2介质层、第二TiO2介质层、第二MgF2介质层、第三TiO2介质层和第三MgF2介质层；所述第一TiO2介质层背离第一MgF2介质层的一侧与金属吸收膜层贴合；
所述玻璃基板在550nm波长下测得的折射率为1.52；所述金属吸收膜层在550nm波长下测得的折射率为3.17；所述第一TiO2介质层、第二TiO2介质层和第三TiO2介质层在550nm波长下测得的折射率均为2.3；所述第一MgF2介质层、第二MgF2介质层和第三MgF2介质层在550nm波长下测得的折射率均为1.38；
所述金属吸收膜层的厚度为7.1nm，所述第一TiO2介质层的厚度为38.1nm，所述第一MgF2介质层的厚度为197.8nm，所述第二TiO2介质层的厚度为24.1nm，所述第二MgF2介质层的厚度为37.9nm，所述第三TiO2介质层的厚度为25.1nm，所述第三MgF2介质层的厚度为109nm。
2.一种中性密度片，包括依次层叠设置的玻璃基板、金属吸收膜层和介质增透膜层，其特征在于，所述介质增透膜层包括相互层叠设置的TiO2介质层和MgF2介质层；所述TiO2介质层背离MgF2介质层的一侧与金属吸收膜层贴合；
所述玻璃基板在550nm波长下测得的折射率为1.52；所述金属吸收膜层在550nm波长下测得的折射率为3.17；所述TiO2介质层在550nm波长下测得的折射率均为2.3；所述MgF2介质层在550nm波长下测得的折射率均为1.38；
所述金属吸收膜层的厚度为10.2nm，所述TiO2介质层的厚度为34.2nm，所述MgF2介质层的厚度为78.8nm。
3.根据权利要求1或2所述的中性密度片，其特征在于，所述金属吸收膜层的材质为铬。
4.根据权利要求1或2所述的中性密度片，其特征在于，所述玻璃基板为K9玻璃基板。
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