[发明专利]基板处理方法和基板处理装置在审
申请号: | 202110930665.2 | 申请日: | 2016-09-26 |
公开(公告)号: | CN113745098A | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 桥本祐作;下青木刚;福田昌弘;田中公一朗 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/67;G03F7/30 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
1.一种基板处理方法,其包括:
在使基板以第一转速旋转、使在喷嘴的喷出口的周围形成的接液面与所述基板的表面相对的状态下,从所述喷出口向所述基板的表面供给显影液,一边使所述接液面与所述显影液接触一边使所述喷嘴移动,从而在所述基板的表面上形成所述显影液的液膜;
在所述液膜形成在所述基板的表面之后,在来自所述喷出口的所述显影液的供给停止了的状态下,使所述基板的转速为比所述第一转速低的第二转速;
在使所述基板的转速为所述第二转速之后,以比所述第一转速高的第三转速使所述基板旋转;
在以所述第三转速使所述基板旋转之后,使所述基板的转速为所述第二转速以下,从而在所述基板的表面上保持所述液膜。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法,其中,
在一边使所述接液面与所述显影液接触一边使所述喷嘴移动、从而在所述基板的表面上形成所述液膜之际,使所述喷嘴从所述基板的外周侧向旋转中心侧移动。
3.根据权利要求2所述的基板处理方法,其中,
该基板处理方法还包括:在所述液膜形成在所述基板的表面上之后,在所述基板以所述第二转速的旋转完成之前,使所述接液面与所述基板的表面分开。
4.根据权利要求3所述的基板处理方法,其中,
使所述接液面与所述基板的表面分开的做法包括:
以第一速度使所述接液面与所述基板的表面分开到第一距离;
在保持了所述接液面与所述基板的表面分开到所述第一距离的状态之后,以比所述第一速度低的第二速度使所述接液面进一步分开,
所述第一距离是能够在所述显影液的液膜与所述接液面之间形成液柱的距离。
5.根据权利要求2~4中任一项所述的基板处理方法,其中,
在一边使所述接液面与所述显影液接触一边使所述喷嘴移动、从而在所述基板的表面上形成所述液膜之际,使所述喷嘴的移动速度在中途变更。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法,其中,
在一边使所述接液面与所述显影液接触一边使所述喷嘴移动、从而在所述基板的表面上形成所述液膜之际,与所述喷出口靠近所述基板的旋转中心相应地使所述喷嘴的移动速度降低。
7.根据权利要求2~4中任一项所述的基板处理方法,其中,
在一边使所述接液面与所述显影液接触一边使所述喷嘴移动、从而在所述基板的表面上形成所述液膜之际,使来自所述喷出口的所述显影液的喷出量在中途变更。
8.根据权利要求7所述的基板处理方法,其中,
在一边使所述接液面与所述显影液接触一边使所述喷嘴移动、从而在所述基板的表面上形成所述液膜之际,与所述喷出口靠近所述基板的旋转中心相应地使来自所述喷出口的所述显影液的喷出量增加。
9.根据权利要求2~4中任一项所述的基板处理方法,其中,
在一边使所述接液面与所述显影液接触一边使所述喷嘴移动、从而在所述基板的表面上形成所述液膜之际,以所述喷出口从所述基板的旋转中心偏离的位置为终点使所述喷嘴移动。
10.根据权利要求9所述的基板处理方法,其中,
在一边使所述接液面与所述显影液接触一边使所述喷嘴移动、从而在所述基板的表面上形成所述液膜之际,以所述喷出口从所述基板的旋转中心偏离且所述基板的旋转中心通过所述接液面的位置为终点使所述喷嘴移动。
11.根据权利要求9所述的基板处理方法,其中,
在一边使所述接液面与所述显影液接触一边使所述喷嘴移动、从而在所述基板的表面上形成所述液膜之际,使所述喷嘴移动直到所述喷出口通过所述基板的旋转中心为止。
12.一种基板处理装置,其包括:
旋转保持部,其用于保持基板并使所述基板旋转;
显影液供给部,其具有:喷嘴,其包括显影液的喷出口和在所述喷出口的周围形成的接液面;喷嘴输送机构,其用于输送所述喷嘴,该显影液供给部用于向所述基板的表面供给所述显影液;
以及控制器,
所述控制器构成为执行以下控制:
对旋转保持部进行控制,以使所述基板以第一转速旋转;对所述显影液供给部进行控制,以便在使所述接液面与所述基板的表面相对的状态下,从所述喷出口向所述基板的表面供给显影液,一边使所述接液面与所述显影液接触一边使所述喷嘴移动,从而在所述基板的表面上形成所述显影液的液膜;
对所述旋转保持部进行控制,以便在所述液膜形成在所述基板的表面上之后,在来自所述喷出口的所述显影液的供给停止了的状态下,使所述基板的转速为比所述第一转速低的第二转速;
对所述旋转保持部进行控制,以便在使所述基板的转速为所述第二转速之后,以比所述第一转速高的第三转速使所述基板旋转;
对所述旋转保持部进行控制,以便在以所述第三转速使所述基板旋转之后,使所述基板的转速为所述第二转速以下,从而在所述基板的表面上保持所述液膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造