[发明专利]一种金刚石晶片抛光的材料去除率计算方法及系统有效
申请号: | 202110930698.7 | 申请日: | 2021-08-13 |
公开(公告)号: | CN113618502B | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 路家斌;王新汉;熊强;阎秋生;刘文涛;骆应荣 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | B24B1/00 | 分类号: | B24B1/00;B24B29/02;B24B41/04;B24B41/06 |
代理公司: | 苏州携智汇佳专利代理事务所(普通合伙) 32278 | 代理人: | 温明霞 |
地址: | 510090 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 金刚石 晶片 抛光 材料 去除 计算方法 系统 | ||
1.一种金刚石晶片抛光的材料去除率计算方法,其特征在于,包括:
S1、在未抛光的金刚石晶片的表面加工划痕;先配置芬顿反应液和光催化反应液,将芬顿反应液和光催化反应液均输送到金刚石晶片的表面,然后通过紫外光照射该金刚石晶片的表面一段时间,最后在该金刚石晶片的表面上加工划痕;通过工具头与金刚石晶片的表面接触来加工划痕,工具头采用能够发生催化并降低金刚石化学反应活化能、加速金刚石晶片氧化的材料;工具头采用铁或镍或铝或铬或锰或钴或铜制成;
S2、测量步骤S1加工处理的划痕的深度h0;
S3、对金刚石晶片具有划痕的表面进行抛光,记录抛光所用的时间t;
S4、测量金刚石晶片抛光后的划痕的深度h;
S5、根据MRR=(h0-h)/t计算材料去除率MRR;
芬顿反应液为Fe3O4和H2O2的混合液;光催化反应液为光催化剂、电子捕捉剂、去离子水和H2O2的混合液,光催化反应液的pH值为3~5,且光催化剂的粒径为10nm~100nm,光催化剂的浓度为4g/L;光催化剂采用TiO2、ZnO、SnO2;
采用波长范围在200nm~225nm、金刚石晶片表面的光照强度在200mW/cm2~400mW/cm2的紫外光照射金刚石表面,对金刚石表面产生光化学反应,促进工具头在金刚石晶片表面加工出划痕;
工具头在加工划痕时,其自身做旋转运动,较高的转速有助于在金刚石晶片表面快速加工出划痕,并且钻削时加工处的温度较高,促进金刚石活化能降低产生石墨层从而减小金刚石表面硬度,提高加工效率;工具头旋转速度为3000rpm-10000rpm;在加工划痕时,工具头与金刚石晶片的表面倾斜接触,工具头与金刚石晶片的表面的夹角为10°~80°,更容易切入金刚石晶片中,快捷而有效地加工划痕;工具头具有尖端,使工具头在金刚石晶片表面加工时,接触点相当于一个点接触,加工时有较大的压强,并且接触点由于工具头的旋转有较高的线速度,便于在金刚石表面加工出划痕。
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