[发明专利]一种电器元件内部扇形永磁体截面磁通间接测量方法

权利要求书

1.一种电器元件内部扇形永磁体截面磁通间接测量方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：

步骤S1：针对不同型号尺寸的扇形永磁体，利用永磁体截面磁通测量装置，沿永磁体上表面方向，选取若干上表面截面并测量各个上表面截面在沿径向充磁方向饱和充磁情况下及不同程度退磁情况下的上表面截面磁通作为参考1，沿永磁体径向选取若干径向截面并测量各个径向截面在沿径向充磁方向饱和充磁情况下及所述不同程度退磁情况下的径向截面磁通作为可获取磁通数据3；

步骤S2：针对不同型号尺寸的扇形永磁体，利用永磁体表面磁强测量装置，测量永磁体上表面不同位置在沿径向充磁方向饱和充磁情况下及所述不同程度退磁情况下的上表面磁强作为参考2；

步骤S3：将参考1、参考2两部分数据导入数据库A作为参考，将可获取磁通数据3作为数据库B；

步骤S4：对于某待测永磁体，在其可观察和测量的上表面选取若干截面以及若干磁强测试点，利用截面磁通测量装置和表面磁强测量装置测量在沿径向充磁方向饱和充磁情况下及所述不同程度退磁情况下的截面磁通和表面磁强，作为实测数据；

步骤S5：在饱和充磁状态下以及相同程度的退磁情况下将实测数据与数据库A中的参考1和参考2进行比对，选取数据最为相近的永磁体参考，同时获得数据库B中对应型号永磁体的截面磁通数据，作为该扇形永磁体的截面磁通。

2.根据权利要求1所述的电器元件内部扇形永磁体截面磁通间接测量方法，其特征在于所述步骤S2中，在扇形永磁体上表面沿圆弧方向上均匀划分3段，沿径向方向均匀划分5段，取每个分段上表面的中心位置作为磁强测试点。

3.根据权利要求1所述的电器元件内部扇形永磁体截面磁通间接测量方法，其特征在于所述步骤S3中，同一扇形永磁体所测量的在参考1和参考2以及可获取数据3三部分数据中同一永磁体的数据应相对应。