[发明专利]耦合强度可调的量子比特结构有效

专利信息
申请号: 202110930931.1 申请日: 2021-08-13
公开(公告)号: CN113705820B 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 相忠诚;宋小会;郭学仪;宋鹏涛;王战;郑东宁 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: G06N10/40 分类号: G06N10/40
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人: 王勇
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 耦合 强度 可调 量子 比特 结构
【权利要求书】:

1.一种耦合强度可调的量子比特结构,其包括:第一量子比特、第二量子比特以及位于所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的可调耦合器;

所述第一量子比特和所述第二量子比特分别电容耦合至所述可调耦合器,所述可调耦合器控制所述第一量子比特和所述第二量子比特之间的耦合系数;以及

其中,所述第一量子比特和所述第二量子比特是transmon的形式,所述可调耦合器是xmon的形式;

其中,所述可调耦合器包括:

第一电容,其包括第一极以及第二极;以及

第一约瑟夫森结,其包括第一极,连接至所述第一电容的第一极;以及第二极,与所述第一电容的第二极相连接并连接至地;

其中,所述第一量子比特包括第二电容、第三电容、第二约瑟夫森结和第四电容,所述第二电容的第二极接地,所述第二电容的第一极与第三电容的第一极以及第二约瑟夫森结的第一极相连接;所述第三电容的第二极以及所述第二约瑟夫森结的第二极相连接并连接到第四电容的第一极,所述第四电容的第二极接地;

其中,所述第二量子比特包括第五电容、第六电容、第三约瑟夫森结和第七电容,所述第五电容的第二极接地,所述第五电容的第一极与第六电容的第一极以及第三约瑟夫森结的第一极相连接;所述第六电容的第二极以及所述第三约瑟夫森结的第二极相连接且连接到第七电容的第一极,所述第七电容的第二极接地。

2.根据权利要求1所述的耦合强度可调的量子比特结构,其中,所述第一量子比特和所述第二量子比特中的至少一个包括分支结构。

3.根据权利要求2所述的耦合强度可调的量子比特结构,其中,所述分支结构耦合到所述可调耦合器。

4.根据权利要求1所述的耦合强度可调的量子比特结构,其中,所述第一约瑟夫森结、第二约瑟夫森结、第三约瑟夫森结是squid双结。

5.根据权利要求1所述的耦合强度可调的量子比特结构,其中,所述第一量子比特、第二量子比特以及可调耦合器不在同一衬底上。

6.根据权利要求1所述的耦合强度可调的量子比特结构,其中,所述第二电容的第一极构成所述第三电容的第一极,所述第四电容的第一极构成所述第三电容的第二极;

所述第五电容的第一极构成所述第六电容的第一极,所述第七电容的第一极构成所述第六电容的第二极。

7.根据权利要求1所述的耦合强度可调的量子比特结构,其中,所述第一量子比特、所述第二量子比特以及所述可调耦合器之间进行有地隔离的电容耦合或者无地直接电容耦合。

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