[发明专利]利用增加气体密度抑制材料翘曲的方法

权利要求书

1.一种利用增加气体密度抑制材料翘曲的方法，其特征在于，其步骤包括：

(a)将多个半导体组件置入一处理腔室内；

(b)使该处理腔室内的温度上升至一第一预定温度，同时向该处理腔室内输入至少一气体，使该处理腔室内的压力上升至一预定压力，让该处理腔室笼罩在高温及高压的工作环境中，在该第一预定温度及该预定压力的状态下，对各该半导体组件进行一等温等压处理过程，通过高压气体提升该处理腔室内气体温度分布的均匀性；

(c)使该处理腔室内的温度由该第一预定温度以至少一预定速率降低至一第二预定温度，同时继续对该处理腔室输入至少一该气体，使该处理腔室维持在该预定压力，对各该半导体组件进行一降温等压处理过程，通过提升气体温度分布的均匀性及减少各该半导体组件各层材料间因压差而产生应力及产生振动现象，从而能抑制各该半导体组件发生翘曲。

2.如权利要求1所述的利用增加气体密度抑制材料翘曲的方法，其特征在于，至少一该气体为一空气及/或一氮气。

3.如权利要求1所述的利用增加气体密度抑制材料翘曲的方法，其特征在于，在步骤(b)中，至少一该气体具有一预定数量的气体分子，该预定数量的气体分子使该处理腔室保持在该预定压力，通过该预定数量的气体分子控制该处理腔室内气体温度分布的均匀性。

4.如权利要求1所述的利用增加气体密度抑制材料翘曲的方法，其特征在于，该处理腔室内的该第一预定温度的设定介于60℃至1500℃的范围。

5.如权利要求1所述的利用增加气体密度抑制材料翘曲的方法，其特征在于，该处理腔室内的该第二预定温度的设定在大于25℃至等于100℃的范围，且该第二预定温度小于该第一预定温度。

6.如权利要求1所述的利用增加气体密度抑制材料翘曲的方法，其特征在于，该处理腔室内的该预定压力的设定在大于1.3个大气压至小于100个大气压的范围。