[发明专利]阵列基板、阵列基板的制造方法及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括基底和设于所述基底上的薄膜晶体管，以及与所述薄膜晶体管电连接的存储电容，所述存储电容包括第一电容电极和第二电容电极，所述第二电容电极位于所述第一电容电极远离所述基底的一侧；

其中，所述第一电容电极远离所述基底一侧的表面包括交替设置的第一凸起部和第一凹陷部，所述第二电容电极包括交替设置第二凸起部和第二凹陷部，所述第二凸起部与所述第一凸起部对应，所述第二凹陷部与所述第一凹陷部对应。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括设于所述基底上的第一金属层，所述第一金属层包括所述第一电容电极；

所述薄膜晶体管包括有源部，所述有源部与所述第二电容电极位于同一层。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层靠近所述基底一侧的表面为平面。

4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层靠近所述基底一侧的表面包括第三凸起部和第三凹陷部，所述第三凸起部与所述第一凸起部对应，所述第三凹陷部与所述第一凹陷部对应。

5.如权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一金属层还包括对应所述薄膜晶体管设置的遮光部或所述薄膜晶体管的栅极。

6.如权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一凸起部和所述第一凹陷部交替形成波浪形。

7.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，

所述有源部和第二电容电极为氧化物半导体。

8.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括如下制造步骤：

步骤S100：在基底上形成第一金属层，所述第一金属层图案化形成第一电容电极，在所述第一电容电极远离所述基底一侧的表面形成交替设置的第一凸起部和第一凹陷部；

步骤S200：在所述第一金属层上形成缓冲层；

步骤S300：在所述缓冲层上形成薄膜晶体管，其中，在形成所述薄膜晶体管的有源部时，同时形成第二电容电极。

9.如权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤S100包括如下制造步骤：

步骤S110：在所述基底上形成第一金属层，在所述第一金属层上形成光阻层；

步骤S120：通过半色调光罩将所述光阻层图案化，图案化的所述光阻层包括第一部分和第二部分，所述第二部分包括第四凸起部和第四凹陷部；

步骤S130：刻蚀所述第一金属层形成遮光部和所述第一电容电极，所述遮光部对应所述光阻层的所述第一部分，所述第一电容电极对应所述光阻层的所述第二部分，所述第一电容电极包括第一凸起部和第一凹陷部，所述第一凸起部对应所述第四凸起部，所述第一凹陷部对应所述第四凹陷部。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的阵列基板。