[发明专利]阵列基板的修复方法、阵列基板以及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的修复方法，所述阵列基板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

半导体层；

层间绝缘层，覆盖所述半导体层，所述层间绝缘层中开设有连通孔，所述连通孔暴露出所述半导体层；以及

第一电极，设置于所述层间绝缘层远离所述半导体层的一侧，所述第一电极设置于所述连通孔中与所述半导体层连接；

其特征在于，所述阵列基板的修复方法包括：

对所述连通孔处的所述半导体层进行激光照射，断开所述第一电极与所述半导体层的连接。

2.如权利要求1所述的阵列基板的修复方法，其特征在于，所述连通孔的孔径为2微米至10微米，所述激光照射的范围覆盖所述连通孔。

3.如权利要求1所述的阵列基板的修复方法，其特征在于，所述阵列基板还包括遮光层和缓冲层，所述遮光层位于所述半导体层远离所述层间绝缘层的一侧且对应于所述薄膜晶体管设置，所述遮光层中开设有激光通孔，所述激光通孔对应于所述连通孔设置，且所述激光通孔的孔壁在所述层间绝缘层上的正投影位于所述连通孔的孔壁的外侧，所述缓冲层设置于所述半导体层与所述遮光层之间，所述缓冲层填充所述激光通孔，所述对所述连通孔处的所述半导体层进行激光照射，断开所述第一电极与所述半导体层的连接包括：

使激光对准所述激光通孔，从所述遮光层侧向所述半导体层侧进行激光照射。

4.如权利要求1或2所述的阵列基板的修复方法，其特征在于，

所述对所述连通孔处的所述半导体层进行激光照射，断开所述第一电极与所述半导体层的连接之前还包括：

对所述阵列基板进行点屏，确定发生短路的像素；

所述对所述连通孔处的所述半导体层进行激光照射，断开所述第一电极与所述半导体层的连接包括：

从所述半导体层远离所述层间绝缘层的一侧向所述半导体层侧进行激光照射。

5.如权利要求1或2所述的阵列基板的修复方法，其特征在于，所述对所述连通孔处的所述半导体层进行激光照射，断开所述第一电极与所述半导体层的连接之前还包括：

利用光学检测确定发生短路的像素中发生短路的薄膜晶体管；

所述对所述连通孔处的所述半导体层进行激光照射，断开所述第一电极与所述半导体层的连接包括：

从所述半导体层远离所述层间绝缘层的一侧或者从所述层间绝缘层侧向所述半导体层侧进行激光照射。

6.一种阵列基板，包括薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

半导体层；

层间绝缘层，覆盖所述半导体层，所述层间绝缘层中开设有连通孔，所述连通孔暴露出所述半导体层；以及

第一电极，设置于所述层间绝缘层远离所述半导体层的一侧，所述连通孔处的所述第一电极与所述半导体层断开连接。

7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述连通孔的孔径为2微米至10微米。

8.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层中形成贯通孔，所述贯通孔对应于所述连通孔设置，所述贯通孔的孔壁在所述层间绝缘层上的正投影与所述连通孔的孔壁重合或者位于所述连通孔的孔壁的外侧。

9.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括遮光层和缓冲层，所述遮光层位于所述半导体层远离所述层间绝缘层的一侧且对应于所述薄膜晶体管设置，所述遮光层中开设有激光通孔，所述激光通孔对应于所述连通孔设置，且所述激光通孔的孔壁在所述层间绝缘层上的正投影位于所述连通孔的孔壁的外侧，所述缓冲层设置于所述半导体层与所述遮光层之间，所述缓冲层填充所述激光通孔，所述缓冲层由透明材料构成。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求6至9任一项所述的阵列基板。