[发明专利]一种计量标准器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110932981.3 申请日: 2021-08-13
公开(公告)号: CN115704677A 公开(公告)日: 2023-02-17
发明(设计)人: 李迪 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G01B21/04 分类号: G01B21/04
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 张李静;张颖玲
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 计量 标准 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种计量标准器,其特征在于,包括:

晶圆载体;

校准用微纳尺度标准片;

所述晶圆载体上设有凹槽结构;

所述校准用微纳尺度标准片可拆卸地固定在所述凹槽结构内。

2.如权利要求1所述的计量标准器,其特征在于,所述凹槽结构底部设有至少一个导气通道,所述导气通道贯通所述凹槽结构与外部真空系统,所述外部真空系统用于对所述导气通道抽真空。

3.如权利要求1所述的计量标准器,其特征在于,所述晶圆载体包括叠置的第一晶圆和第二晶圆,所述凹槽结构贯穿所述第一晶圆,且所述凹槽结构的底面与所述第二晶圆的上表面齐平,其中,所述第二晶圆的上表面为所述第二晶圆的面向所述第一晶圆的表面。

4.如权利要求2所述的计量标准器,其特征在于,所述凹槽结构底部的粗糙度和/或所述校准用微纳尺度标准片的下表面的粗糙度小于或等于10nm,其中,所述校准用微纳尺度标准片的下表面为所述校准用微纳尺度标准片的面向所述凹槽结构底部的表面。

5.如权利要求2所述的计量标准器,其特征在于,还包括:

助吸膜,所述助吸膜位于所述校准用微纳尺度标准片与所述凹槽结构的底部之间,且所述助吸膜的弹性模量大于所述校准用微纳尺寸标准片的弹性模量。

6.如权利要求2所述的计量标准器,其特征在于,所述导气通道垂直于所述晶圆载体,且所述导气通道贯通所述凹槽结构下方的所述晶圆载体。

7.如权利要求2所述的计量标准器,其特征在于,多个所述导气通道的顶端的开口尺寸相等,且多个所述导气通道等间隔排列。

8.如权利要求2所述的计量标准器,其特征在于,多个所述导气通道互相连通。

9.如权利要求8所述的计量标准器,其特征在于,所述导气通道的顶端开口数量大于底端开口数量。

10.如权利要求8所述的计量标准器,其特征在于,所述导气通道的顶端开口数量小于底端开口数量。

11.如权利要求2所述的计量标准器,其特征在于,所述导气通道为贯穿通孔,所述通孔靠近校准用微纳尺度标准片一侧的直径大于远离校准用微纳尺度标准片一侧的直径。

12.如权利要求1所述的计量标准器,其特征在于,所述凹槽结构的深度和所述校准用微纳尺度标准片的厚度相等。

13.一种计量标准器的制备方法,其特征在于,包括:

提供晶圆载体,在所述晶圆载体上形成凹槽结构;

在所述凹槽结构底部形成至少一个导气通道,所述导气通道贯通所述凹槽结构与外部真空系统;

通过所述外部真空系统对所述导气通道进行抽真空操作;

提供校准用微纳尺度标准片,将校准用微纳尺度标准片贴装在所述凹槽结构内。

14.如权利要求13所述的计量标准器的制备方法,其特征在于,所述在所述晶圆载体上形成凹槽结构,包括:

采用脉冲激光形成所述凹槽结构,所述脉冲激光的脉冲宽度小于或等于100ns,所述脉冲激光的功率为10至300W,重复频率为10至100kHz。

15.如权利要求13所述的计量标准器的制备方法,其特征在于,所述提供晶圆载体,在所述晶圆载体上形成凹槽结构,包括:

提供第一晶圆;

在所述第一晶圆上形成贯穿槽;

提供第二晶圆;

将第一晶圆和第二晶圆键合,由所述贯穿槽与所述第二晶圆表面形成凹槽结构。

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