[发明专利]一种适用于Nor Flash数据存储的磨损均衡方法及存储设备

说明书

本发明涉及一种适用于NorFlash数据存储的磨损均衡方法，包括对存储器进行存储页分配的方法、初始化方法和数据的写入、读出方法。存储页分配的方法：将存储空间划分出两个存储页；初始化方法包括：选择一个存储页作为活动页，另一个作为备用页，并更新内存中全局变量的值；数据的写入方法包括：判断活动页的剩余存储空间是否不小于需要写入的数据所需的空间，如果不小于，则从数据偏移地址写入需存储的数据，如果小于则将备用页切换为活动页，重新写入活动页；数据的读出方法为：获取需读出数据的相关参数，从后向前查找活动页中的数据，将最先查找到的且符合相关参数要求的数据读出到内存中。本发明还涉及一种存储设备，并用于执行上述方法。

技术领域

本发明涉及一种非易失闪存技术，尤其是一种适用于Nor Flash数据存储的磨损均衡方法及存储设备。

背景技术

Nor Flash是一种非易失闪存技术，其特点是芯片内执行(XIP，eXecute InPlace)，这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。Flash闪存的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是一般用于存储代码量小的程序或者数据。

Nor Flash在写入数据时，常用的做法是在固定地址写入数据，当这个位置的数据需要改动时，需要先擦除然后再写入，数据只可以由1写成0，不可由0写成1，擦除后Norflash数据全部变为0xFF，在面对需要频繁改动的数据时，Nor Flash很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能，目前通用的Nor Flash存储器每个编程单元擦写寿命一般在十万次左右，当超出这个次数限制后，就会有出现坏块的可能，此时再继续改写存储的数据，正确性就无法保证。

鉴于此提出本发明。

发明内容

本发明的一个目的在于克服现有技术的不足，提供一种适用于Nor Flash数据存储的磨损均衡方法，通过降低擦写次数，来延缓Nor Flash存储器到达擦写寿命上限，从而提高Nor Flash存储器的使用寿命。

本发明的另一个目的在于提供存储设备，用于执行上述的适用于Nor Flash数据存储的磨损均衡方法。

为了实现第一发明目的，本发明采用如下技术方案：

一种适用于Nor Flash数据存储的磨损均衡方法，包括对Nor Flash存储器进行存储页分配的方法、初始化方法和数据的写入、读出方法；

所述存储页分配的方法包括：将Nor Flash存储空间至少划分出两个相同大小的存储页，确定两个存储页的起始地址和大小；

所述初始化的方法包括：选择其中一个存储页作为活动页，另一个作为备用页，更新内存中的活动页地址、活动页的数据偏移地址、页切换标记三个全局变量的值；

所述数据的写入方法包括：

步骤a1、获取需要写入的数据；

步骤a2、判断活动页的剩余存储空间是否不小于需要写入的数据所需的空间，如果不小于，则从活动页的数据偏移地址开始，写入待存储的数据；如果小于则将备用页切换为活动页，然后将需要写入的数据写入新的活动页；

步骤a3、更新内存中的活动页的数据偏移地址，写入结束；

所述数据的读出方法为：

步骤b1、获取需要读出数据的参数；

步骤b2、根据获取的参数，从活动页的数据偏移地址开始，从后向前查找需要读出的数据，将最先查找到的且符合参数要求的数据读出到内存中。

进一步，所述存储页包括页面属性和数据单元；

所述页面属性至少用于定义当前存储页为活动页或备用页；