[发明专利]一种基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器电路

权利要求书

1.一种基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器电路，其特征是：为由输入级、中间级与输出级组成的三级级联结构，其中，

输入级采用二级级联共栅结构，用于实现射频宽带匹配及低噪声放大功能；

中间级采用分布式共源放大器结构，用于实现信号的宽带延展与信号放大，

输出级采用功率放大器设计结构，用于实现射频信号的输出匹配及功率驱动功能。

2.根据权利要求1所述的一种基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器电路，其特征是：所述的输入级、中间级与输出级之间的级间匹配采用电容匹配。

3.根据权利要求1所述的一种基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器电路，其特征是：所述的输入级的二级级联共栅结构中，其中一共栅结构连接VDD。

4.根据权利要求1所述的一种基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器电路，其特征是：宽带高线性低噪声放大器电路应用于500M~3G宽频率范围内，覆盖 P波段、L波段及S波段射频综合信号范围。

5.根据权利要求1所述的一种基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器电路，其特征是：输入级采用二级级联共栅结构，包括第一NMOS管，第二NMOS管，其中第一NMOS管栅极连接信号输入端，第二级NMOS管源极与第一级NMOS管漏极相连，第二级NMOS管栅极、漏极连接VDD；中间级采用级联共源放大器结构，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管或更多NMOS管，各个NMOS管采用并联结构，其中每一NMOS管栅极、源极相连，漏极相连，第一级匹配后信号分别通过第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管等管的栅极，输出信号由多级NMOS管漏极连接输出；输出级采用采用功率放大器设计结构，其中包括第一NMOS管，RF反馈电阻组成，中间级输出信号与第一NMOS栅极连接，RF一端连接第一NMOS的漏极，另一端连接第一NMOS的栅极，信号由第一NMOS管的漏极输出。