[发明专利]用于凸块下金属结构的套环及相关联的系统及方法

权利要求书

1.一种半导体裸片，其包括：

半导体材料，其具有固态组件；

互连件，其至少部分延伸穿过所述半导体材料；

凸块下金属UBM结构，其电耦合到所述互连件，其中所述UBM结构具有顶面、底面及在所述顶面与所述底面之间延伸的侧壁，且其中所述UBM结构包括第一导电材料和安置于所述第一导电材料上方的第二导电材料；

套环，其包围所述UBM结构的所述侧壁的至少一部分，使得所述套环接触所述第一导电材料的至少一部分，其中所述套环凹入所述UBM结构的所述顶面下方；及

焊接材料，其安置于所述UBM结构的所述顶面上方，其中所述套环包括抗湿材料，所述焊接材料不易于在液相中湿润所述抗湿材料。

2.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述套环包括氧化物、氮化物或聚酰亚胺中的至少一者。

3.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述套环具有约到约之间的厚度。

4.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述UBM结构是支柱，且其中所述套环仅部分地覆盖所述支柱的所述侧壁。

5.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述套环不接触所述第二导电材料。

6.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述套环未横向延伸越过所述焊接材料。

7.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述套环的侧面与所述焊接材料的侧面基本上共面。

8.根据权利要求1所述的半导体裸片，基中所述UBM结构具有约1微米到约100微米之间的高度，且其中所述UBM结构具有在约1微米到约100微米之间的厚度。

9.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述第一导电材料包括铜，所述第二导电材料包括镍。

10.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述UBM结构包括柱，所述柱包括：

下部分，其包括铜且具有第一侧面；以及

上部分，其包括形成在所述下部分上方的镍，所述上部分具有第二侧面，

其中所述第一侧面与所述第二侧面基本上共面。

11.根据权利要求10所述的半导体裸片，其中套环与所述第一侧面接触，但不与所述第二侧面接触。

12.一种半导体裸片，其包括：

半导体材料，其具有固态组件；

互连件，其至少部分延伸穿过所述半导体材料；

凸块下金属UBM结构，其电耦合到所述互连件，其中所述UBM结构具有顶面、底面及在所述顶面与所述底面之间延伸的侧壁，且其中所述UBM结构包括第一导电材料和安置于所述第一导电材料上方的第二导电材料；

套环，其包围所述UBM结构的所述侧壁的至少一部分，使得所述套环接触所述第一导电材料的至少一部分，但不接触所述第二导电材料；及

焊接材料，其安置于所述UBM结构的所述顶面上方。

13.根据权利要求12所述的半导体裸片，其中所述套环包括抗湿材料，所述焊接材料不易于在液相中湿润所述抗湿材料。

14.根据权利要求12所述的半导体裸片，其中所述套环包括氧化物、氮化物或聚酰亚胺中的至少一者。

15.根据权利要求12所述的半导体裸片，其中所述套环的侧面与所述焊接材料的侧面基本上共面。

16.根据权利要求12所述的半导体裸片，其中所述UBM结构包括柱，所述柱包括：

下部分，其包括铜且具有第一侧面；以及

上部分，其包括形成在所述下部分上方的镍，所述上部分具有第二侧面，

其中所述第一侧面与所述第二侧面基本上共面。