[发明专利]像素结构在审

专利信息
申请号: 202110935131.9 申请日: 2017-06-14
公开(公告)号: CN113692081A 公开(公告)日: 2021-11-23
发明(设计)人: 赵显敏;金大贤;任铉德;姜钟赫;朴哉柄;李周悦;曹治乌;洪性珍 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H05B33/26 分类号: H05B33/26;H01L27/15
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘美华;韩芳
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 像素 结构
【权利要求书】:

1.一种像素结构,所述像素结构包括:

基体基底;

第一电极,位于所述基体基底上;

第二电极,设置为围绕所述第一电极的至少一部分;以及

多个LED元件,分别连接到所述第一电极和所述第二电极,并且沿不同的方向径向地布置。

2.根据权利要求1所述的像素结构,其中,所述多个LED元件中的每个LED元件的第一端直接连接到所述第一电极,并且每个LED元件的第二端直接连接到所述第二电极。

3.根据权利要求1所述的像素结构,其中,从所述多个LED元件中的彼此相邻的两个LED元件分别沿第一方向以及与所述第一方向交叉的第二方向布置,其中,所述第一方向和所述第二方向形成锐角。

4.根据权利要求1所述的像素结构,其中,从所述多个LED元件分别沿其布置的不同的方向延伸的虚线在虚拟接触点处相交,其中,所述虚拟接触点位于所述第一电极中。

5.根据权利要求1所述的像素结构,其中,所述第二电极的至少一部分不连续地设置。

6.根据权利要求1所述的像素结构,其中,所述第二电极包括所述第二电极的第一部分和所述第二电极的第二部分。

7.根据权利要求6所述的像素结构,其中,所述第二电极的所述第一部分电连接到所述第二电极的所述第二部分。

8.根据权利要求6所述的像素结构,其中,所述第二电极的所述第一部分和所述第二电极的所述第二部分彼此间隔开。

9.根据权利要求1所述的像素结构,所述像素结构还包括:

晶体管,电连接到所述第一电极;以及

电源布线,电连接到所述第二电极。

10.根据权利要求9所述的像素结构,所述像素结构还包括:

绝缘层,设置在所述晶体管上方,并且

其中,所述第一电极和所述第二电极设置在所述绝缘层上。

11.根据权利要求1所述的像素结构,其中,所述第一电极和所述第二电极为多个,所述像素结构还包括:

电极线,连接多个第二电极。

12.根据权利要求1所述的像素结构,其中,所述第一电极与所述第二电极之间的分离距离为1μm或更多并且7μm或更少。

13.根据权利要求1所述的像素结构,其中,施加到所述第一电极和所述第二电极的电压差为10V至50V。

14.根据权利要求1所述的像素结构,其中,所述第一电极和所述第二电极之间的距离与所述第一电极和所述第二电极之间的电势差成反比。

15.根据权利要求1所述的像素结构,其中,所述第一电极与所述第二电极之间的沿第一方向的第一分离距离不同于所述第一电极与所述第二电极之间的沿第二方向的第二分离距离。

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