[发明专利]一种TBA修饰g-C3

说明书

本发明公开了一种TBA修饰g‑C₃N₄基银掺杂光催化剂制备方法，包括：将TCN材料研磨成细粉末，加入到纯水中，超声处理，获得TCN分散溶液；将硝酸银加入到所述TCN分散溶液中，在黑暗条件下剧烈搅拌使Ag⁺充分吸附，获得混合液；将所述混合液光照，形成悬浮液；将所述悬浮液抽滤，用纯水洗涤数次，干燥，获得TBA修饰g‑C₃N₄基银掺杂光催化剂。将其投加到待杀菌消毒水体种，可以在可见光或紫外光照射下激发产生强氧化性活性物质，对致病性细菌、病毒杀灭作用；该材料生产成本低，易于产业化；应用广泛。

技术领域

本发明属于消毒材料领域，具体涉及一种TBA修饰g-C₃N₄基银掺杂光催化剂制备方法及其应用。

背景技术

随着自然水环境中微生物对抗生素的耐药性升高，人工水环境(如游泳池、水疗中心、水上公园)中的细菌菌株的耐药性问题也应当引起重视。游泳池水源通常是自来水，并用额外的消毒剂(氯化合物、臭氧等)处理。虽然现代游泳池有再循环系统，能有效地过滤和消毒，但相关研究表明，无论是循环净化系统还是消毒剂，都无法阻止有害病原体对泳池水的侵染。此外，存活的耐氯细菌也可能具有抗生素抗性，这一事实在处理过的饮用水和污水的细菌分离物中都已被证明。因此，游泳池等人工水环境也是传播抗生素耐药基因和抗生素耐药菌的途径之一，存在公共卫生风险。

目前，寻求更为有效的方法应对自然水体中日益严重的耐药菌群污染问题成为全世界共同关注的热点，采用半导体光催化灭活被认为是最有发展前景的手段之一，它克服了传统消毒方法的局限性，具有节能、生物安全、稳定性好、活性优越、对多种微生物病原菌有广泛杀灭能力等优势。当光照射半导体催化剂时，若入射光子的能量超过带隙能量，会产生电子-空穴对，电子(e^-)将跃迁到导带，价带中产生空穴(h⁺)。部分e^-和h⁺迁移到催化剂的表面，激发空气或水中的氧气并产生一系列强氧化性活性物质，例如h⁺，·O₂^-/HO₂·，·OH，¹O₂和H₂O₂，灭活水环境中的病原体，为开发经济、环保、可持续的新型耐药菌消毒方式带来希望与挑战。

因此，本发明研究一种TBA修饰g-C₃N₄基银掺杂光催化剂制备方法。

发明内容

本发明目的是提供一种TBA修饰g-C₃N₄基银掺杂光催化剂制备方法及其应用。

本发明的一种技术方案是：

一种TBA修饰g-C₃N₄基银掺杂光催化剂制备方法，包括如下步骤：

(1)将TCN材料研磨成细粉末，加入到纯水中，超声处理，获得TCN分散溶液；

(2)将硝酸银加入到所述TCN分散溶液中，在黑暗条件下剧烈搅拌使Ag⁺充分吸附，获得混合液；

(3)将所述混合液光照，形成悬浮液；

(4)将所述悬浮液抽滤，用纯水洗涤数次，干燥，获得TBA修饰g-C₃N₄基银掺杂光催化剂。

进一步的，步骤(1)中所述TCN材料的制备方法为：

(a)将尿素、硫代巴比妥酸和纯水置于氧化铝坩埚内，在水浴锅中加热，混合均匀，然后将其干燥；

(b)将干燥后的材料置于带盖坩埚中加热并保温，待其自然冷却至室温，获得TCN。