[发明专利]一种水平极化全向超表面天线有效

专利信息
申请号: 202110935758.4 申请日: 2021-08-16
公开(公告)号: CN113690599B 公开(公告)日: 2022-11-08
发明(设计)人: 陈涌频;刘思豪;胡俊;孟敏;郭俊雷 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q1/48;H01Q15/00;H01Q3/44
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 甘茂
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 水平 极化 全向 表面 天线
【权利要求书】:

1.一种水平极化全向超表面天线,包括:从下往上依次层叠设置的微带馈电结构(5)、下层介质基板(4)、金属接地板(3)、上层介质基板(2)与超表面辐射结构(1);其特征在于,所述超表面辐射结构(1)由4块正方形贴片A与12块正方形贴片B构成、且呈4×4阵列排布,所述4块正方形贴片A呈2×2阵列排布于上层介质基板的中心,所述12块正方形贴片B围绕4块正方形贴片A设置;所述正方形贴片A的边长为w1、正方形贴片B的边长为w2、且w2w1;相邻正方形贴片B之间的间距为g、相邻正方形贴片A之间的间距为g1:g1=g+(w2-w1)、正方形贴片B与相邻正方形贴片A之间的间距为g2:g2=g+(w2-w1)/2;

所述金属接地板上刻蚀有4条相同的矩形耦合缝隙,4条矩形耦合缝隙呈“十”字型分布、且位于上层介质基板的中线上,每条矩形耦合缝隙到中心的距离均为Lm:Lm=(3×g+3×w2-Lf)/2、Lf为矩形耦合缝隙的长度,该距离保证了缝隙正好处于超表面辐射结构的正方形贴片B的中间位置的正下方。

2.按权利要求1所述水平极化全向超表面天线,其特征在于,所述水平极化全向超表面天线通过微带馈电结构(5)为超表面辐射结构馈电,激励水平全向辐射模式。

3.按权利要求1所述水平极化全向超表面天线,其特征在于,所述微带馈电结构为一分四功分器,将能量等幅同相耦合至四条矩形耦合缝隙,为超表面辐射结构馈电,激励水平全向辐射模式。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110935758.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top