[发明专利]一种超高容量腐蚀箔的制造方法在审
申请号: | 202110935853.4 | 申请日: | 2021-08-16 |
公开(公告)号: | CN113802173A | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 刑闯;陈小兵;李晓天 | 申请(专利权)人: | 南通南辉电子材料股份有限公司 |
主分类号: | C25F3/04 | 分类号: | C25F3/04;C25F1/00;C23F1/20 |
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地址: | 226000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超高 容量 腐蚀 制造 方法 | ||
本发明涉及电容器用电极材料技术领域,具体涉及一种超高容量腐蚀箔的制造方法,首先,将高纯铝箔置于预处理液中,去除表面杂质;然后,置于一定温度的电化学腐蚀液中浸泡,进行电化学腐蚀;接下来,置于一定温度和电流密度A直流电条件下的发孔腐蚀液中浸泡腐蚀,进行发孔腐蚀;清洗后,置于含大分子缓蚀剂的扩孔腐蚀液中,于一定温度和电流密度B的直流电条件下,浸泡腐蚀进行扩孔腐蚀;最后,经过洗涤和烘干的后处理,制得超高容量腐蚀箔。本发明能大幅度提高铝箔表面和隧道孔口附近的电化学反应的阻力,加速了孔内的扩孔过程,大幅提高比容,满足超高容量腐蚀箔使用要求。
技术领域
本发明涉及电容器用电极材料技术领域,具体涉及一种超高容量腐蚀箔的制造方法。
背景技术
电子工业的繁荣,带动了电子信息产业的发展,人们对中高档的电解电容器腐蚀化成箔的需求量越来越大,这也导致电解电容器腐蚀化成箔市场的供不应求,为了满足电子信息产业的发展,人们迫切的要求电解电容器的比容不断提高。
腐蚀箔是以电子光箔为原材料,通过电化学腐蚀方法刻蚀电子光箔向内形成孔洞,从而扩大有效面积,形成较高比容。在形成孔洞的过程中,极易发生只腐蚀电子光箔表面,不向内里扩孔,或者把前期形成的孔洞并起来的情况,导致容量降低,影响腐蚀箔的应用及发展。
发明内容
针对上述现有领域存在的问题,本发明的目的在于提供一种容量超高、操作简单且生产效果好的超高容量腐蚀箔的制造方法。为实现本发明的目的,采用如下技术方案:
一种超高容量腐蚀箔的制造方法,包括以下步骤:
(1)预处理:将高纯铝箔置于预处理液中,去除表面杂质;
(2)电化学腐蚀:将上述预处理后的箔片置于电化学腐蚀液中,于一定的温度下浸泡2-4min;
(3)发孔腐蚀:将上述电化学腐蚀后的箔片置于发孔腐蚀液中,于一定的温度和电流密度A的直流电条件下,浸泡腐蚀40-80s;
(4)扩孔腐蚀:上述发孔腐蚀后的箔片采用20-30℃的自来水清洗30-90s后,置于含大分子缓蚀剂的扩孔腐蚀液中,于一定的温度和电流密度B的直流电条件下,浸泡腐蚀400-600s;
(5)后处理:上述扩孔腐蚀后的箔片采用20-30℃的自来水清洗多次,然后于150-250℃温度下烘干60-120s,即制得超高容量腐蚀箔。
优选的,步骤(1)中所述预处理液为磷酸的水溶液。
优选的,步骤(2)中所述电化学腐蚀的温度为70-85℃。
优选的,所述电化学腐蚀液和发孔腐蚀液的组成相同。
优选的,所述电化学腐蚀液和发孔腐蚀液均由0.55-1.4mol/L盐酸、3.4-4.0mol/L硫酸、0.45-0.9mol/L Al3+构成。
优选的,步骤(3)中所述发孔腐蚀的温度为65-80℃,所述发孔腐蚀的电流密度A为300-400mA/cm2。
优选的,步骤(4)中所述扩孔腐蚀液由1.2-1.7mol/L盐酸、0.45-0.9mol/L Al3+、0.1-0.6mol/L大分子缓蚀剂构成。
优选的,所述扩孔腐蚀的温度为80-90℃,所述扩孔腐蚀的电流密度B为20-60mA/cm2。
优选的,所述大分子缓蚀剂为大分子缓蚀剂CMC、大分子缓蚀剂PS-5或大分子缓蚀剂PSSA中的一种。
优选的,步骤(5)中所述自来水清洗的次数为两次,且两次所述自来水清洗的时间分别为30-90s和4-8min。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
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