[发明专利]一种同步整流开关控制电路在审

专利信息
申请号: 202110936916.8 申请日: 2021-08-16
公开(公告)号: CN113746358A 公开(公告)日: 2021-12-03
发明(设计)人: 夏云凯;雷晗;施国民 申请(专利权)人: 西安鼎芯微电子有限公司
主分类号: H02M7/217 分类号: H02M7/217;H02M1/08
代理公司: 北京万思博知识产权代理有限公司 11694 代理人: 刘冀
地址: 710075 陕西省西安市高新区*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 同步 整流 开关 控制电路
【权利要求书】:

1.一种同步整流开关控制电路,其特征在于,其包含同步功率MOSFET漏源电压斜率检测电路、开启检测电路、关断检测电路和逻辑控制电路;

其中同步功率MOSFET漏源电压斜率检测电路、开启检测电路、关断检测电路的输出端分别与逻辑控制电路的输入端独立连接,所述逻辑控制电路的输出端连接同步功率MOSFET的栅极。

2.根据权利要求1所述的一种同步整流开关控制电路,其特征在于,

所述同步功率MOSFET漏源电压斜率检测电路为同步功率MOSFET开启进行准备动作,用于检测同步功率MOSFET漏源电压的变化斜率,并将检测到的信号进行锁存;

所述开启检测电路用于控制同步功率MOSFET的开启检测;

所述关断检测电路用于控制同步功率MOSFET的关断检测;

所述逻辑控制电路将接收到的开启和关断信号进行逻辑运算,然后控制同步功率MOSFET的开启和关断;若同步功率MOSFET漏源电压在设定时间内变化斜率大于设定阈值,则开启同步功率MOSFET;若同步功率MOSFET漏源电压在设定时间内变化斜率小于设定阈值,则关断同步功率MOSFET。

3.根据权利要求1或2所述的一种同步整流开关控制电路,其特征在于,

所述同步功率MOSFET漏源电压斜率检测电路包含第一比较器、第二比较器、第三比较器、电流源、PMOS管、NMOS管、电容、第一两输入或非门、第一反相器、第二反相器和第一RS触发器;

所述第一比较器的正向输入端接同步功率MOSFET漏源电压,负向输入端接第一参考电压;所述第一比较器的输出端接所述第一两输入或非门其中的一个输入端和第二反相器的输入端;

所述第二比较器的正向输入端接第二参考电压,负向输入端接同步功率MOSFET漏源电压;所述第二比较器的输出端接所述第一两输入或非门的另一个输入端;

所述第一两输入或非门的输出端接第一反相器的输入端,第一反相器的输出端接PMOS管和NMOS管的栅极;

所述电流源正端接电源VCC,负端接PMOS管的源极;

所述PMOS管的漏极接NMOS管的漏极和电容的正极;

所述NMOS管的源极接地,所述电容的负极也接地;

所述第三比较器的正向输入端接所述电容的正极,负向输入端接第三参考电压,所述第三比较器的输出端接所述第一RS触发器的置位端;

所述第一RS触发器的复位端接所述第二反相器的输出端,所述第一RS触发器的输出端接所述逻辑控制电路。

4.根据权利要求1或2所述的一种同步整流开关控制电路,其特征在于,所述开启检测电路包含第四比较器;

所述第四比较器的正向输入端接同步功率MOSFET漏源电压,负向输入端接第四参考电压,所述第四参考电压用于设定同步功率MOSFET开启的阈值点;所述第四比较器的输出端接所述逻辑控制电路。

5.根据权利要求1或2所述的一种同步整流开关控制电路,其特征在于,所述关断检测电路包含第五比较器;

所述第五比较器的正向输入端接第五参考电压,负向输入端接同步功率MOSFET漏源电压,所述第五参考电压用于设定同步功率MOSFET关断的阈值点;所述第五比较器的输出端接所述逻辑控制电路。

6.根据权利要求1或2所述的一种同步整流开关控制电路,其特征在于,所述逻辑控制电路包含第二两输入或非门和第二RS触发器;

所述第二两输入或非门的一端接第一RS触发器RS1的输出端,另一端接第四比较器的输出端;

所述第二两输入或非门的输出接所述第二RS触发器的置位端,用于控制同步功率MOSFET的开启;

所述第二RS触发器的复位端接第五比较器的输出端,用于控制同步功率MOSFET的关断;

所述第二RS触发器的输出端用于驱动同步功率MOSFET的栅极,控制同步功率MOSFET的开启和关断。

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