[发明专利]一种反铁电AgNbO3 有效
| 申请号： | 202110937385.4 | 申请日： | 2021-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN113638046B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 吕宪顺;王旭平;刘冰;杨玉国;张园园;魏磊;陈芙迪 | 申请（专利权）人： | 山东省科学院新材料研究所;山东山科智晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B9/12 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 王磊 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 反铁电 agnbo base sub | ||
1.一种反铁电AgNbO3晶体的制备方法，其特征在于：以化学计量比为1:(0.1-0.2)的V2O5和Na2SO4复配作为助熔剂制备反铁电AgNbO3晶体,具体步骤为：将纯度均为99.5％以上的生长原料Ag2O、Nb2O5、V2O5和Na2SO4按照(1-2):(0.2-0.5):1:(0.1-0.2)的化学计量比混合，并采用压料模具压成圆饼状，然后将饼状的生长原料转移至刚玉坩埚后放入熔盐生长炉中进行热处理，其中热处理过程条件为：先以100℃/h升温至900-950℃后恒温4小时使原料完全熔化，再以70℃/h降温至800-900℃恒温2小时处理，后采用自冷法或顶部籽晶法得到反铁电AgNbO3晶体；其中，自冷法为直接降温使晶体生长，降温速率为0.5-1℃/小时，当温度降至650℃以后以150-200℃/天的降温速率降至室温；或，所述顶部籽晶法为将籽晶置于熔体上方2-5cm处，30-40分钟后将籽晶浸没入熔体以下2-5毫米，以0.5-1℃/小时降温速率将熔体温度降至750℃后提离熔体，以150-200℃/天的降温速率降至室温后得到AgNbO3晶体。
2.根据权利要求1所述的制备方法，特征在于：所述V2O5和Na2SO4的化学计量比为1:0.12。
3.根据权利要求1所述的制备方法，特征在于：所述Ag2O、Nb2O5、V2O5和Na2SO4的化学计量比为1.85:0.25:1:0.12。
4.权利要求1-3任一项所述的反铁电AgNbO3晶体的制备方法在介电电容器领域中的应用。
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