[发明专利]应用于NMOS管的栅极电路、开关电源电路以及充电器

说明书

本申请属于电源技术领域，提供了一种应用于NMOS管的栅极电路、开关电源电路以及充电器，栅极电路包括缓冲模块以及PNP三极管模块。PNP三极管模块的发射极与缓冲模块的第一端共接于NMOS管的栅极；PNP三极管模块的基极与缓冲模块的第二端共接，用于接收驱动信号，PNP三极管模块的集电极接地，通过缓冲模块降低NMOS管开启时LC振荡从而降低NMOS管的开启损耗，在NMOS管关闭时通过PNP三极管开启能快速将NMOS管的电压泄放，降低NMOS管的关闭损耗。

技术领域

本申请属于电源技术领域，尤其涉及一种应用于NMOS管的栅极电路、开关电源电路以及充电器。

背景技术

目前，在3C数码领域，功率小于等于150W的充电器的电路结构一般采用反激式开关电源拓扑结构，充电器中反激式开关电源拓扑结构原理为变压器初级高压侧连接NMOS管，由驱动电路输出高电平使NMOS管栅极电压上升至大于临界开启电压后NMOS管导通，实现变压器存储能量，输出低电平使NMOS管栅极电压泄放至低于临界开启电压后NMOS管关断，实现变压器释放能量。

然而，由于变压器电路中的初级线圈电压高，与其连接的NMOS管在开启和关断的过程中存在损耗较大的问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种应用于NMOS管的栅极电路、开关电源电路以及充电器，旨在解决由于变压器电路中的初级线圈电压高，与其连接的MOS管在开启和关断的过程中存在损耗较大的问题。

本申请实施例第一方面提供了一种应用于NMOS管的栅极电路，所述栅极电路包括：缓冲模块以及PNP三极管模块；

所述PNP三极管模块的发射极与所述缓冲模块的第一端共接于所述NMOS管的栅极；

所述PNP三极管模块的基极与所述缓冲模块的第二端共接，用于接收驱动信号，所述PNP三极管模块的集电极接地。

在一个实施例中，所述NMOS管为氮化镓场效应晶体管。

在一个实施例中，所述缓冲模块包括至少一个缓冲电阻，所述至少一个缓冲电阻的第一端与所述PNP三极管模块的发射极连接，所述至少一个缓冲电阻的第二端与所述PNP三极管模块的基极连接。

本申请第二方面还提供了一种开关电源电路，所述开关电源电路包括：变压器电路、NMOS管、限流电路以及上述任一项所述的栅极电路，其中：

所述NMOS管的漏极与所述变压器电路的初级线圈连接，所述NMOS管的源极与所述限流电路的第一端相接，所述NMOS管的栅极与所述栅极电路连接；

所述限流电路的第二端接地。

在一个实施例中，所述开关电源电路还包括：与所述变压器电路的初级线圈连接的第一整流滤波电路；

所述第一整流滤波电路用于接入交流电，并将所述交流电进行整流滤波处理生成直流电输出至所述变压器电路

在一个实施例中，所述开关电源电路还包括：与所述变压器电路的次级线圈连接的第二整流滤波电路；

所述第二整流滤波电路用于对所述变压器电路输出的直流电进行整流滤波处理。

在一个实施例中，所述开关电源电路还包括：驱动电路，与所述栅极电路连接，用于向所述栅极电路发送驱动信号。

在一个实施例中，所述变压器电路包括：第一电阻、第一二极管、变压器以及第一电容；

其中，所述第一电阻第一端与所述第一电容的第一端共接入变压器的初级线圈的第一端；

所述第一电阻的第二端与所述第一电容的第二端共接入第一二极管的阴极；

所述第一二极管的阳极与所述变压器的初级线圈的第二端共接于所述NMOS管的漏极。