[发明专利]一种催化MgH2

权利要求书

1.一种催化MgH₂快速放氢的复合氧化物，其特征在于，由p型氧化物半导体与n型氧化物半导体组成，所述p型氧化物半导体与所述n型氧化物半导体在材料的内部形成p-n结。

2.根据权利要求1所述的催化MgH₂快速放氢的复合氧化物，其特征在于，所述p型氧化物半导体包括NiO、Cu₂O、Cr₂O₃、Bi₂O₃、Pr₂O₃、Nd₂O₃、RuO₂中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的催化MgH₂快速放氢的复合氧化物，其特征在于，所述n型氧化物半导体包括ZnO、BaO、TiO₂、WO₃、Mn₂O₃、Fe₃O₄、Nb₂O₅、Ta₂O₅、MoO₃中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的催化MgH₂快速放氢的复合氧化物，其特征在于，所述复合氧化物为Ta₂O₅-Pr₂O₃、Ta₂O₅-Nd₂O₃中的一种。

5.根据权利要求1～4任一项所述的复合氧化物在催化MgH₂快速放氢中的应用。

6.根据权利要求5所述的应用，其特征在于，所述复合氧化物在热辐射作用下催化MgH₂快速放氢。