[发明专利]坩埚及分子束外延系统有效

专利信息
申请号: 202110938739.7 申请日: 2021-08-16
公开(公告)号: CN113774477B 公开(公告)日: 2023-03-03
发明(设计)人: 高达;王丹;李震;王丛;王经纬;刘铭 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十一研究所
主分类号: C30B25/14 分类号: C30B25/14;C30B29/48
代理公司: 工业和信息化部电子专利中心 11010 代理人: 罗丹
地址: 100015*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 坩埚 分子 外延 系统
【权利要求书】:

1.一种用于提升分子束外延系统束流均匀性的坩埚,其特征在于,包括:

坩埚本体,用于盛放原料,所述坩埚本体为一端敞开、另一端封闭的中空柱体;

支撑结构,设于所述坩埚本体的敞开端,所述支撑结构用于将所述坩埚本体的敞开端的空间分割为多个通道;

所述坩埚本体的敞开端具有台阶结构;

所述支撑结构适于搭接于所述台阶结构;

所述支撑结构包括筒件,所述筒件为中空柱体,所述筒件一端敞开,另一端的底壁设有多个间隔排布的贯通孔,呈篦子状,所述筒件的敞开端具有向外翻折的翻边,且从所述筒件底壁的中心至边缘的方向上,所述贯通孔的直径逐渐增大;

将所述支撑结构装配至所述坩埚本体后,所述翻边适于搭接在所述台阶结构,所述筒件的外周壁适于与所述坩埚本体的内周壁接触;

所述贯通孔包括多种不同孔径尺寸的通孔,具有相同孔径尺寸的通孔具有多个且沿所述支撑结构中心轴的周向方向均匀间隔排布。

2.如权利要求1所述的用于提升分子束外延系统束流均匀性的坩埚,其特征在于,所述坩埚还包括:

第一加热件,设于所述坩埚本体的外周壁;

第二加热件,设于所述坩埚本体的外周壁,所述第二加热件与所述第一加热件沿所述坩埚本体的轴向方向间隔排布。

3.如权利要求2所述的用于提升分子束外延系统束流均匀性的坩埚,其特征在于,所述第一加热件为电热丝;

所述第二加热件为电热丝。

4.如权利要求3所述的用于提升分子束外延系统束流均匀性的坩埚,其特征在于,所述电热丝缠绕于所述坩埚本体的外周壁。

5.如权利要求1所述的用于提升分子束外延系统束流均匀性的坩埚,其特征在于,所述支撑结构的吸热系数大于所述坩埚本体的吸热系数。

6.如权利要求1所述的用于提升分子束外延系统束流均匀性的坩埚,其特征在于,从坩埚本体的中心至边缘的方向上,所述通道的孔径逐渐增大。

7.一种分子束外延系统,其特征在于,包括:

坩埚,所述坩埚为根据权利要求1-6中任一项所述的用于提升分子束外延系统束流均匀性的坩埚。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十一研究所,未经中国电子科技集团公司第十一研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110938739.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top