[发明专利]基于超材料表面的全介质太赫兹传感器

权利要求书

1.基于超材料表面的全介质太赫兹传感器，其特征在于，该传感器包括敏感元件以及与其相连接的热敏电路，所述敏感元件由掺杂导电材料的圆柱半导体构成，用以改变圆柱半导体的电导率，进而吸收太赫兹波段的电磁波，该传感器的尺寸为微米，所述掺杂的导电材料具体为硼，所述圆柱半导体的半径为95-110um，高度在85-95um；

其中，所述掺杂导电材料的圆柱半导体的制备工艺，包括以下步骤：1)镀膜前预处理：选用氮化硅圆柱体作为基体并进行镀膜前预处理；2)溅射：以氩气作为溅射气体，在对基体施加偏压的条件下，对导电材料硼靶进行磁控共溅射，在基体上沉积掺杂硼的氮化硅薄膜；3)退火：在氮气气体下，对沉积有掺杂硼的基体进行光热退火处理，保温1-2h；4)冷却：缓慢冷却后获得稳定掺杂硼的氮化硅薄膜。