[发明专利]一种低介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法

权利要求书

1.一种低介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）按Ca₃Sn₂SiGa₂O₁₂中各元素摩尔比例称取原料CaCO₃、SnO₂、SiO₂和Ga₂O₃粉末，以乙醇作为介质球磨混料6h；烘干后在1300℃下预烧5h，然后进行二次球磨，获得Ca₃Sn₂SiGa₂O₁₂陶瓷粉料；

（2）按Ca₃Sn₂SiGa₂O₁₂与CaTiO₃的质量比为(100-x):x称取CaTiO₃，0x≤10；按照CaF₂与Ca₃Sn₂SiGa₂O₁₂与CaTiO₃总质量的比例a：100称取CaF₂，2≤a≤5；将Ca₃Sn₂SiGa₂O₁₂、CaTiO₃和CaF₂粉末进行球磨混料，干燥后得到陶瓷混合粉料；

（3）向步骤（2）制得的陶瓷混合粉料中加入聚乙烯醇溶液，混合均匀；在100MPa压强下进行压制，制备出圆柱状坯体；

（4）将步骤（3）中得到的坯体在900-1050℃条件下烧结6h，制得低介电常数微波介质陶瓷材料；该微波介质陶瓷材料的化学表达式为：(100-x) wt％Ca₃Sn₂SiGa₂O₁₂ +x wt%CaTiO₃+a wt％ CaF₂；其中，a为CaF₂占Ca₃Sn₂SiGa₂O₁₂与CaTiO₃总质量的质量分数，其中0x≤10，2≤a≤5。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤（2）中，球磨时间为6h，干燥温度为80℃。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤（3）中，聚乙烯醇溶液的质量分数为15％，所用聚乙烯醇占陶瓷粉料的质量百分比为10％。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤（3）中，圆柱状坯体的直径为20mm，高度为10mm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤（4）中，烧结过程升温速率为10℃/min。