[发明专利]基准电压源有效

专利信息
申请号: 202110941346.1 申请日: 2021-08-17
公开(公告)号: CN113625818B 公开(公告)日: 2022-12-02
发明(设计)人: 卫梦昭 申请(专利权)人: 杭州深谙微电子科技有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 代理人: 蔡纯;杨思雨
地址: 310000 浙江省杭州市滨江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 基准 电压
【权利要求书】:

1.一种基准电压源,包括:

翻转栅极晶体管;

一晶体管,所述晶体管以Vgs减去布置与所述翻转栅极晶体管连接;

输出节点,位于所述翻转栅极晶体管和所述晶体管之间,被配置为输出具有零温度系数的基准电压;以及

运算放大器,被配置为控制所述晶体管的基极电压,以使得所述晶体管的基极和漏极的电压相等,

其中,所述运算放大器的正相输入端连接至所述输出节点,反相输入端和输出端连接至所述晶体管的基极,被配置为吸收所述晶体管的体区的漏电流,以使得流经 所述晶体管和所述翻转栅极晶体管的电流相等。

2.根据权利要求1所述的基准电压源,还包括:

电流源,被配置为提供流经所述晶体管和所述翻转栅极晶体管的电流。

3.根据权利要求2所述的基准电压源,其中,所述电流源的第一端与电源电压连接,所述电流源的第二端与所述晶体管的漏极连接。

4.根据权利要求1所述的基准电压源,其中,所述晶体管的栅极和所述翻转栅极晶体管的栅极彼此连接,且都连接到所述晶体管的漏极,所述翻转栅极晶体管的源极接地。

5.根据权利要求1所述的基准电压源,其中,所述翻转栅极晶体管具有第一尺寸,所述晶体管具有第二尺寸,且所述晶体管的第二尺寸大于所述翻转栅极晶体管的第一尺寸。

6.根据权利要求5所述的基准电压源,其中,所述晶体管的第二尺寸是所述翻转栅极晶体管的第一尺寸的N倍,N为大于1的整数。

7.根据权利要求6所述的基准电压源,其中,所述N为介于2至50之间的整数。

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