[发明专利]显示基板及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 202110942111.4 | 申请日: | 2021-08-17 |
公开(公告)号: | CN113658987A | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 李晓虎;王路;焦志强 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;张博 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括:
衬底基板;
位于所述衬底基板上多个不同颜色的子像素,所述子像素包括发光单元,所述发光单元包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的白光发光层,所述第一电极位于所述白光发光层和所述衬底基板之间;
所述显示基板还包括:
包围所述第一电极的挡墙,不同颜色子像素的挡墙的高度不同。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素,所述蓝色子像素的挡墙的高度大于所述绿色子像素和所述红色子像素的挡墙的高度。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述绿色子像素的挡墙的高度大于所述红色子像素的挡墙的高度。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,至少部分所述子像素中,所述挡墙远离所述衬底基板一侧的表面的表面高度大于所述发光层远离所述衬底基板一侧的表面的表面高度,所述表面高度为表面与所述衬底基板之间的最小距离。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述挡墙在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠。
6.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,所述第一电极位于所述挡墙限定出的区域内,且所述挡墙在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极在所述衬底基板上的正投影部分重叠。
7.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述挡墙采用无机绝缘材料、有机绝缘材料或有机无机复合材料。
8.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述挡墙的高度为50nm~5000nm。
9.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第二电极采用金属,厚度为8nm~25nm。
10.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第二电极采用透明导电氧化物,厚度为60nm~400nm。
11.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第二电极采用金属和透明导电氧化物的复合结构,厚度为60nm~400nm。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括:
位于所述发光单元远离所述衬底基板一侧的封装层;
位于所述封装层远离所述衬底基板一侧的彩色滤光层。
13.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-12中任一项所述的显示基板。
14.一种显示基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板上形成多个不同颜色的子像素,所述子像素包括发光单元,所述发光单元包括第一电极、第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间的白光发光层,所述第一电极位于所述白光发光层和所述衬底基板之间;
形成包围所述第一电极的挡墙,不同颜色子像素的挡墙的高度不同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的