[发明专利]一种半导体器件用导热材料导热系数测算装置及方法

权利要求书

1.一种半导体器件用导热材料导热系数测算装置，其特征在于，包含有，热瞬态测试仪、恒温热沉、标定用垫片、铝基板及半导体器件，所述恒温热沉作为所述热瞬态测试仪的工作台，所述标定用垫片在所述恒温热沉上方，所述标定用垫片具有中心通孔，所述中心通孔内部容纳有导热材料，所述标定用垫片用于标定所述导热材料的厚度d和横截面积A，所述铝基板布置于所述标定用垫片顶面，所述半导体器件布置于所述铜基板顶面。

2.根据权利要求1所述的一种半导体器件用导热材料导热系数测算装置，其特征在于，所述标定用垫片底面直接接触所述恒温热沉顶面。

3.根据权利要求1所述的一种半导体器件用导热材料导热系数测算装置，其特征在于，所述标定用垫片底面与所述恒温热沉顶面间布置有铝块。

4.根据权利要求1所述的一种半导体器件用导热材料导热系数测算装置，其特征在于，所述标定用垫片底面与所述恒温热沉顶面间布置有铜块。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的一种半导体器件用导热材料导热系数测算装置，其特征在于，所述标定用垫片采用塑胶材质。

6.根据权利要求1至4中任意一项所述的一种半导体器件用导热材料导热系数测算装置，其特征在于，所述半导体器件为LED、MOSFET或IGBT。

7.根据权利要求1至4中任意一项所述的一种半导体器件用导热材料导热系数测算装置，其特征在于，所述导热材料为导热硅脂或导热垫。

8.一种半导体器件用导热材料导热系数测算方法，其特征在于，包含有以下步骤，

提供权利要求1至7中任意一项所述测算装置；

利用所述测算装置搭建传热路径顺序依次为半导体器件、铜基板、空气间隙、恒温热沉的试验A，并且根据所述试验A获取其对应的热容热阻曲线A；

利用所述测算装置搭建传热路径顺序依次为半导体器件、铜基板、导热材料、铝块、恒温热沉的试验B，并且根据所述试验B获取其对应的热容热阻曲线B；

利用所述测算装置搭建传热路径顺序依次为半导体器件、铜基板、导热材料、铜块、恒温热沉的试验C，并且根据所述试验C获取其对应的热容热阻曲线C；

将所述热容热阻曲线A、所述热容热阻曲线B及所述热容热阻曲线C三者汇总于同一坐标系；

确定测算所述导热材料导热系数所需的热阻ΔR，所述热阻ΔR为所述热容热阻曲线A与所述热容热阻曲线B的分离点和所述热容热阻曲线B与所述热容热阻曲线C的分离点的热阻之差；以及，

根据所述热阻ΔR、所述导热材料的厚度d及横截面积A测算所述导热材料导热系数λ，即

9.根据权利要求8所述的一种半导体器件用导热材料导热系数测算方法，其特征在于，通过改变所述半导体器件的输入功率重新测算所述导热材料导热系数所需的热阻ΔR，并且将所有测算到的热阻ΔR作算术平均以得到最终的所述热阻ΔR。