[发明专利]一种基于可饱和吸收体的高重频全保偏掺铒光纤激光器

权利要求书

1.一种基于可饱和吸收体的高重频全保偏掺铒光纤激光器，其特征在于，由光学结构和激光器线性腔两部分组成闭合线性腔，其中，光学结构部分包括半导体可饱和吸收镜(1)、第一自聚焦透镜(4)、偏振片(2)、二色镜(3)和第二自聚焦透镜(5)，激光器线性腔部分包括泵浦源(6)保偏掺铒光纤(7)、保偏光耦合器(8)和保偏单模光纤(9)，泵浦光和信号光通过自聚焦透镜(5)聚焦到二色镜(3)，二色镜(3)泵浦光反射进入保偏掺铒光纤(7)，将信号光透过进入偏振片(2)，并经由第一自聚焦透镜(4)进行聚焦后打到半导体可饱和吸收镜(1)上进行可饱和吸收并且反射，经由上述光学结构进入保偏掺铒光纤(7)，保偏掺铒光纤(7)与保偏光耦合器(8)的输入端连接，保偏光耦合器(8)的输出端与保偏单模光纤(9)连接进行激光器输出。

2.根据权利要求1所述的基于可饱和吸收体的高重频全保偏掺铒光纤激光器，其特征在于，所述的泵浦源(6)为带有尾纤的中心波长位于980nm的半导体激光器。

3.根据权利要求1所述的基于可饱和吸收体的高重频全保偏掺铒光纤激光器，其特征在于，所述的保偏掺铒光纤(7)的工作中心波长为1550nm。

4.根据权利要求1所述的基于可饱和吸收体的高重频全保偏掺铒光纤激光器，其特征在于，所述的保偏掺铒光纤(7)在工作中心波长处的色散值为-20fs²/mm。

5.根据权利要求1所述的基于可饱和吸收体的高重频全保偏掺铒光纤激光器，其特征在于，所述的保偏光耦合器(8)采用反射式输出方式，输出比例为20％。

6.根据权利要求1所述的基于可饱和吸收体的高重频全保偏掺铒光纤激光器，其特征在于，所述的保偏光耦合器(8)工作波段为1550nm波段。