[发明专利]一种采用多官能团配体量子点的钙钛矿薄膜及其制备和应用

权利要求书

1.一种采用多官能团配体量子点的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

将多官能团配体包覆的量子点添加至钙钛矿前驱体溶液中，制备钙钛矿薄膜；

所述的多官能团配体为具有两个或两个以上官能团的配位体，其中一端带有巯基-SH，除此之外配体中还有一个或多个-COOH、-SH、-NH₂、-SO₃H、-OH具有配位作用的官能团。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

所述的多官能团配体包括但不限于巯基乙酸、巯基丙酸、巯基丁酸、巯基十一酸、巯基乙胺、乙二硫醇、半胱氨酸和巯基苯甲酸中的至少一种。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：

所述的量子点为IV、V、II-VI、IV-VI、III-V或I-III-VI族量子点；

所述多官能团配体包覆的量子点的尺寸为2.0～9.0nm；

所述多官能团配体包覆的量子点的添加量为0.01～5.0mg/mL。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：

所述的量子点包括但不限于碳、硅、锗、磷、ZnS、ZnSe、CdSe、CdS、CdTe、PbS、PbSe、InP、InAs、Ag₂S、CuInS₂和CuInSe₂量子点中的至少一种；

所述多官能团配体包覆的量子点的尺寸为3.5～5.0nm；

所述多官能团配体包覆的量子点的添加量为0.04～0.5mg/mL。

5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：

钙钛矿为ABX₃结构，其中A为甲胺、甲脒、铯和铷中的至少一种，B为铅、锡、锗、钯、银、锑、铜、锌和铋中的至少一种，X为氯、溴、碘、硫氰酸根和醋酸根中的至少一种；

制备钙钛矿薄膜的方法为旋涂法、气相沉积法、狭缝涂布法、刮涂法或喷涂法中的一种。

6.一种钙钛矿薄膜，其特征在于：通过权利要求1～5任一项所述的制备方法制备得到。

7.权利要求6所述的钙钛矿薄膜在制备钙钛矿光电器件中的应用。

8.一种钙钛矿光电器件，其特征在于：包括权利要求6所述的钙钛矿薄膜。

9.根据权利要求8所述的钙钛矿光电器件，其特征在于：

所述钙钛矿光电器件包括钙钛矿太阳能电池、钙钛矿光电探测器或钙钛矿发光器件。

10.一种钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

(1)在导电基底上制备电子传输层；

(2)钙钛矿层制备：在电子传输层上按照权利要求1～5任一项所述的制备方法制备钙钛矿薄膜，即钙钛矿层；

(3)在钙钛矿层上制备空穴传输层；

(4)在钙钛矿层上或空穴传输层上制备导电电极，得到钙钛矿太阳能电池。