[发明专利]固态装配型横向振荡声波谐振器

权利要求书

1.一种固态装配型横向振荡声波谐振器，其特征在于，所述声波谐振器包括：

小散射角支撑衬底；

压电层，形成于所述小散射角支撑衬底的上表面；所述压电层包括：横向谐振结构及凹槽结构，所述凹槽结构形成于所述横向谐振结构的两侧；

少数量/小占空比图案化电极，形成于所述横向谐振结构的上表面；

其中，在对所述少数量/小占空比图案化电极施加电势时，所述声波谐振器在所述横向谐振结构中激发并产生多阶模式响应的等间距高次谐波。

2.根据权利要求1所述的固态装配型横向振荡声波谐振器，其特征在于，所述少数量/小占空比图案化电极的数量为2根-6根，其占空比为5％-20％，所述占空比为电极覆盖面积与横向谐振结构表面积的比值。

3.根据权利要求1所述的固态装配型横向振荡声波谐振器，其特征在于，通过所述少数量/小占空比图案化电极的数量及/或占空比来调节多阶模式响应下的模式阶数、响应频带、谐振强度及机电耦合系数；其中，所述少数量/小占空比图案化电极的数量与模式阶数负相关，与响应频带负相关，与谐振强度正相关，与机电耦合系数正相关；所述少数量/小占空比图案化电极的占空比与模式阶数负相关，与响应频带负相关，与谐振强度正相关，与机电耦合系数正相关。

4.根据权利要求1所述的固态装配型横向振荡声波谐振器，其特征在于，在所述少数量/小占空比图案化电极的中心与所述横向谐振结构的中心重合时，通过所述少数量/小占空比图案化电极的数量来调节多阶模式响应下的模式类型；其中，在所述少数量/小占空比图案化电极的数量为奇数根时，多阶模式响应下的模式类型均为偶次阶；在所述少数量/小占空比图案化电极的数量为偶数根时，多阶模式响应下的模式类型均为奇次阶。

5.根据权利要求1所述的固态装配型横向振荡声波谐振器，其特征在于，在所述少数量/小占空比图案化电极的中心与所述横向谐振结构的中心不重合时，多阶模式响应下的模式类型包括偶次阶和奇次阶；且随着所述少数量/小占空比图案化电极的中心与所述横向谐振结构的中心的距离增大，多阶模式响应下的模式阶数增多，机电耦合系数减小。

6.根据权利要求1所述的固态装配型横向振荡声波谐振器，其特征在于，通过所述横向谐振结构的长度来调节多阶模式响应下的模式阶数、相邻模式间距及机电耦合系数；其中，所述横向谐振结构的长度与模式阶数正相关，与相邻模式间距负相关，与机电耦合系数负相关。

7.根据权利要求1所述的固态装配型横向振荡声波谐振器，其特征在于，通过所述声波谐振器的厚度波长比来调节多阶模式响应下的响应频带、谐振强度及机电耦合系数；其中，厚度波长比与响应频带、谐振强度及机电耦合系数均正相关。

8.根据权利要求1所述的固态装配型横向振荡声波谐振器，其特征在于，目标声波的波长与少数量/小占空比图案化电极的叉指周期共同决定多阶模式响应下等间距高次谐波的中心频率，三者满足公式f_c＝v/2λ，其中，f_c表示为多阶模式响应下等间距高次谐波的中心频率，v表示为目标声波的波长，λ表示为少数量/小占空比图案化电极的叉指周期。

9.根据权利要求1所述的固态装配型横向振荡声波谐振器，其特征在于，所述声波谐振器还包括：一导电层，形成于所述小散射角支撑衬底和所述压电层之间。

10.根据权利要求1所述的固态装配型横向振荡声波谐振器，其特征在于，所述小散射角支撑衬底的材料包括：碳化硅、金刚石、类金刚石、蓝宝石、石英、硅、氮化铝中任一种，所述压电层的材料包括：铌酸锂、铌酸钾、钽酸锂、氮化铝、石英、氧化锌中任一种。