[发明专利]多孔二氧化硅的处理方法在审

专利信息
申请号: 202110945061.5 申请日: 2021-08-17
公开(公告)号: CN113578255A 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 黄盈祯;江姿幸;唐心陆;洪志斌 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: B01J20/10 分类号: B01J20/10;C02F1/28;B01J20/30;C02F101/20
代理公司: 北京植德律师事务所 11780 代理人: 唐华东
地址: 中国台湾高雄*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 多孔 二氧化硅 处理 方法
【说明书】:

本公开涉及多孔二氧化硅的处理方法。该方法包括:将第一反应物和第二反应物加入多孔二氧化硅中,形成混合物,其中,第一反应物和第二反应物用于在多孔二氧化硅中添加特定的官能团;将混合物在预设温度下搅拌;将搅拌后的混合物以第一反应物洗涤后于预设温度下干燥,以形成成品。该方法能够在多孔二氧化硅中添加特定的官能团,从而用作工业中铜、镍等金属的吸附剂以及废水处理剂,将工业中的废弃物循环再利用于工业中,有利于节约资源、保护环境以及降低工业成本。

技术领域

本公开涉及半导体制造技术领域,具体涉及多孔二氧化硅的处理方法。

背景技术

从环境保护、资源节约和降低成本的角度考虑,有必要发展循环经济。在半导体制造中,封装模塑料(Molding Compound)在压制后会产生废弃的边料。

在现有的处理方式中,通常会将废弃的边料高温燃烧转化成二氧化硅(SiO2),再将二氧化硅掩埋。这种将边料直接废弃的方式,会造成资源的极大浪费。

因此,有必要提出一种新的技术方案以解决上述至少一个技术问题。

发明内容

本公开提供了多孔二氧化硅的处理方法。

本公开提供的多孔二氧化硅的处理方法包括:

将第一反应物和第二反应物加入多孔二氧化硅中,形成混合物,其中,所述第一反应物和第二反应物用于在所述多孔二氧化硅中添加特定的官能团;

将所述混合物在预设温度下搅拌;

将搅拌后的所述混合物以所述第一反应物洗涤后于所述预设温度下干燥,以形成成品。

在一些可选的实施方式中,所述第一反应物为己烷,所述第二反应物为3-氨丙基三甲氧基硅烷,所述预设温度为室温。

在一些可选的实施方式中,所述成品用于吸附金属。

在一些可选的实施方式中,所述第一反应物为甲苯,所述第二反应物为3-氨丙基三甲氧基硅烷,所述预设温度为80摄氏度。

在一些可选的实施方式中,所述第一反应物为乙醇,所述第二反应物为对硝基苯硫酚,所述预设温度为室温。

在一些可选的实施方式中,所述将搅拌后的所述混合物以所述第一反应物洗涤,包括:

将搅拌后的所述混合物中加入所述第一反应物;

对所述混合物进行过滤以去除所述第一反应物。

在一些可选的实施方式中,所述多孔二氧化硅通过模塑料制得。

在一些可选的实施方式中,所述方法在回流装置中进行。

在一些可选的实施方式中,所述回流装置下方设置有加热搅拌器。

在一些可选的实施方式中,所述成品用于进行废水处理。

在本公开提供的多孔二氧化硅的处理方法中,通过将第一反应物和第二反应物加入多孔二氧化硅中形成混合物、将所述混合物在预设温度下搅拌以及将搅拌后的所述混合物以所述第一反应物洗涤后于所述预设温度下干燥等步骤,能够在多孔二氧化硅中添加特定的官能团,从而用作工业中铜、镍等金属的吸附剂以及废水处理剂,将工业中的废弃物循环再利用于工业中,有利于节约资源、保护环境以及降低工业成本。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本公开的其它特征、目的和优点将会变得更明显:

图1-图3是根据本公开实施例的多孔二氧化硅处理方法的第一示意图至第三示意图;

图4是是根据本公开实施例的反应装置的示意图;

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