[发明专利]一种铝电解电容器用光箔及其应用有效
申请号: | 202110945493.6 | 申请日: | 2021-08-17 |
公开(公告)号: | CN113871204B | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 池国明;廖孝艳;李刚;李洪伟 | 申请(专利权)人: | 乳源东阳光优艾希杰精箔有限公司;韶关东阳光科技研发有限公司 |
主分类号: | H01G9/042 | 分类号: | H01G9/042;H01G9/045;H01G9/055 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 苏晶晶 |
地址: | 512700*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铝电解电容器 用光 及其 应用 | ||
1.一种铝电解电容器用光箔,其特征在于,所述光箔组织中C织构、R织构、B织构和S织构的总占比≥70%,
且所述光箔组织中C织构的占比>25%,所述光箔组织中R织构的占比>5%,所述光箔组织中B织构的占比>5%,所述光箔组织中S织构的占比>5%;
所述光箔组织中Cube织构的占比<2%,光箔组织中Goss织构占比<2%,
所述光箔组织中Rotating Cube织构占比<30%,
织构是按照数量计算的,占比为数量百分比,为一种织构的数量占总织构数量的百分比,
其中,织构的检测通过EBSD进行检测,将铝箔沿轧制方向和轧制垂直方向裁减成10mm*10mm大小的样品,观察面为法相⊥轧向(ND⊥RD),步长5um对样品进行检测,EBSD自动计算出各种不同取向的织构的比例和角度,
在某些情况下多晶体的晶粒在不同程度上围绕某些特殊的取向排列,就称为织构,用晶粒的某晶面、晶向在参考坐标系中的排布方式来表达晶粒的取向,以{HKL}UVW表示,其中{HKL}晶面平行于轧面,UVW平行于轧向,织构取向如下:
C织构:{112}111
R织构:{124}211
S织构:{123}634
B织构:{110}211
Cube织构:{001}100
Goss织构:{110}100
Rotating Cube织构:{001}110。
2. 如权利要求1所述铝电解电容器用光箔,其特征在于,当所述光箔厚度为0.040-0.060mm,光箔组织中C织构的占比为35%~55%;当所述箔厚为0.020~ 0.035mm,光箔组织中C织构的占比为25%~35%。
3. 如权利要求2所述铝电解电容器用光箔,其特征在于,当所述光箔厚度为0.040~0.060mm,光箔组织中R织构的占比为5%~15%;当所述箔厚为0.020~ 0.035mm,光箔组织中R织构的占比为15%~25%。
4. 如权利要求3所述铝电解电容器用光箔,其特征在于,当所述光箔厚度为0.040~0.060mm,光箔组织中B织构的占比为5%~15%;当所述箔厚为0.020~ 0.035mm,光箔组织中B织构的占比为10%~20%。
5. 如权利要求4所述铝电解电容器用光箔,其特征在于,当所述光箔厚度为0.040~0.060mm,光箔组织中S织构的占比为5%~25%;当所述箔厚为0.020~ 0.035mm,光箔组织中S织构的占比为20%~30%。
6. 如权利要求5所述铝电解电容器用光箔,其特征在于,当所述光箔厚度为0.040~0.060mm,光箔组织中Rotating Cube织构的占比为15%~30%;当所述箔厚为0.020~0.035mm,光箔组织中Rotating Cube织构的占比<1%。
7. 如权利要求6所述铝电解电容器用光箔,其特征在于,当所述光箔厚度为0.040~0.060mm,箔组织中C织构的占比为39%~50%,R织构的占比为6%~13%,B织构的占比为9%~12%,S织构的占比为14%~22%,Rotating Cube织构的占比为15%~24%。
8. 如权利要求6所述铝电解电容器用光箔,其特征在于,当所述光箔厚度为0.020~0.035mm,箔组织中C织构的占比为27%~32%,R织构的占比为19%~25%,B织构的占比为12%~18%,S织构的占比为24%~28%。
9.一种铝电解电容器用铝箔的制备方法,其特征在于,采用权利要求1~8任意一项所述铝电解电容器用光箔进行腐蚀化成。
10.一种权利要求9所述铝电解电容器用铝箔的制备方法制备得到的铝电解电容器用铝箔。
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