[发明专利]电感装置在审

专利信息
申请号: 202110945632.5 申请日: 2021-08-16
公开(公告)号: CN115881393A 公开(公告)日: 2023-03-31
发明(设计)人: 张洋;李珈谊;张家润 申请(专利权)人: 瑞昱半导体股份有限公司
主分类号: H01F21/00 分类号: H01F21/00;H01F27/42
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 王红艳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电感 装置
【说明书】:

一种电感装置包含一第一电感、一第二电感、以及至少一开关电路。该第二电感用以将该第一电感包于其内,并且使用最上层金属来为该第一电感抵抗外界干扰,该至少一开关电路耦接于该第二电感,并且用以接收至少一控制电压,其中该至少一控制电压系用以调整该至少一开关电路的导通程度。

技术领域

发明是有关电感设计,且尤指一种可抵抗外界干扰并且可调整电感的电感值以及品质因数(quality factor,Q)的电感装置。

背景技术

一般来说,在现有的可调式电感装置中有着一主要电感以及一次要电感,主要电感下的图案接地保护层(pattern ground shield)上有着次要电感以及串联于次要电感的一开关电路,借由调整开关电路的电压来改变开关电路的导通程度以调整次要电感的特性,再借由电感互感(mutual induction)来调整主要电感的电感值以及品质因数,然而,此可调式电感装置无法抵抗外界干扰(例如磁场干扰、信号耦合)。

另一方面,现有的可抗外界干扰的电感装置中,其在一电感外围利用最上层金属诸如重布线(redistribution layer,RDL)层金属来围一圈浮地(floating)的封闭回路,由于楞次定律的缘故,该封闭回路可以抵抗外界干扰,然而,除了该电感的品质因数会因此降低外,该电感的电感值以及品质因数皆不可调,其大幅度地降低电路设计的自由度,因此,极需一种可以抵抗外界干扰并且可以调整电感的电感值以及品质因数的电感装置,以同时地增加电路设计的自由度以及改善无法抵抗外界干扰的问题。

发明内容

因此,本发明的一目的在于提供一种可抵抗外界干扰并且可调整电感的电感值以及品质因数的电感装置,以解决上述问题。

本发明的至少一实施例提供一种电感装置,该电感装置可包含一第一电感、一第二电感、以及至少一开关电路。该第二电感用以将该第一电感包于其内,并且使用最上层金属来为该第一电感抵抗外界干扰,该至少一开关电路耦接于该第二电感,并且用以接收至少一控制电压,其中该至少一控制电压系用以调整该至少一开关电路的导通程度。

本发明的好处之一是,由于第二电感系使用最上层金属,因此包于其内的第一电感可不受外界干扰,此外,本发明可借由调整至少一开关电路的导通程度来调整第一电感的电感值以及品质因数以及电感装置的抗外界干扰能力,其大幅度地增加电路设计的自由度。

附图说明

图1为依据本发明一实施例的电感装置的示意图。

图2为依据本发明另一实施例的电感装置的示意图。

图3为依据本发明再一实施例的电感装置的示意图。

图4为依据本发明一实施例的利用功率检测器所提供的感应电压来适应性地调整导通程度的电感装置的示意图。

图5为依据本发明一实施例的在接收端利用图1所示的电感装置的收发机系统的示意图。

图6为依据本发明一实施例的在接收端利用图4所示的电感装置的收发机系统的示意图。

具体实施方式

图1为依据本发明一实施例的电感装置100的示意图。如图1所示,电感装置100包含一主要电感10、一次要电感12、以及一N型金属氧化物半导体场效电晶体(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET;为简便起见,称为电晶体)14,其中N型电晶体14是作为电感装置100的开关电路,实作上,开关电路可以用其它种类的开关电路(例如P型电晶体)来代替,在此开关电路以N型电晶体来表示只是为了示例,本发明不以此为限,此外,开关电路不限单颗耦接于次要电感12,开关电路可以多颗并联到地的方式耦接于次要电感12,其亦可以达到本发明的效果。

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