[发明专利]基于磁流变弹性体的半主动调谐质量阻尼器

说明书

一种基于磁流变弹性体的半主动调谐质量阻尼器，涉及阻尼器领域。该基于磁流变弹性体的半主动调谐质量阻尼器包括多个连杆连接形成的网架和多个两端分别与至少一个连杆连接的阻尼器；阻尼器包括套筒、两端分别与套筒两端内壁连接的滑杆及滑动套设于滑杆上的导磁滑块，导磁滑块上固定套设有两个导磁叠环及内壁分别与两个导磁叠环外壁连接的导磁筒，导磁筒的外壁与套筒的内壁连接，导磁滑块的外壁绕设有位于两个导磁叠环之间的线圈；导磁叠环由多个导磁环和多个环形的磁流变弹性体同轴交替布置连接组成。基于磁流变弹性体的半主动调谐质量阻尼器拓展了减振频带，能够针对主体结构的模态贡献大的振型进行减振。

技术领域

本申请涉及阻尼器领域，具体而言，涉及一种基于磁流变弹性体的半主动调谐质量阻尼器。

背景技术

在现有的结构减振技术中，调谐质量阻尼器(TMD)由于结构形式较为简单、不需要施加额外的能量、易于应用便于维修、对结构功能影响较小、减振机理明确、减振效果相对较好等优点得到了较为广泛的应用。

调谐质量阻尼器(TMD)系统是由弹簧、阻尼和质量块组成的振动系统。TMD系统对结构进行振动控制的原理是：当结构在外激励作用下产生振动时，带动TMD系统一起振动，TMD系统相对运动产生的惯性力反作用到结构上，通过调谐这个惯性力使其对结构的振动产生控制作用，从而达到减小结构振动反应的目的。由于TMD中弹簧和阻尼等特性不会随着时间而变化，因而限制了TMD对各种频率和形式的外激励的适应能力，所以针对某较窄频率范围设计的TMD才具有较好的减振效果，当激励在一个较宽的频率范围的时候，TMD的减振效果显降低。

发明内容

本申请的目的在于提供一种基于磁流变弹性体的半主动调谐质量阻尼器，其有效的拓展了减振频带，能够针对主体结构的模态贡献大的振型进行减振，具有更好的减振效果。

本申请的实施例是这样实现的：

本申请实施例提供一种基于磁流变弹性体的半主动调谐质量阻尼器，包括多个连杆连接形成的网架，还包括多个阻尼器，每个阻尼器的两端分别与至少一个连杆连接；阻尼器包括中空的套筒、设于套筒内的滑杆及滑动套设于滑杆上的导磁滑块，滑杆的两端分别与套筒两端内壁连接，导磁滑块的外壁绕设有线圈，导磁滑块上固定套设有两个导磁叠环及内壁分别与两个导磁叠环外壁连接的导磁筒，导磁筒的外壁与套筒的内壁连接，线圈位于两个导磁叠环之间；导磁叠环由多个导磁环和多个环形的磁流变弹性体同轴交替布置连接组成。

在一些可选的实施方案中，导磁滑块的内壁连接有多个转动抵压滑杆的滚珠。

在一些可选的实施方案中，滚珠和滑杆的表面涂覆有润滑材料。

在一些可选的实施方案中，导磁滑块的中部向内凹陷形成环形的容纳槽，线圈设于容纳槽内。

在一些可选的实施方案中，导磁滑块上开设有供线圈伸出的引线孔。

在一些可选的实施方案中，阻尼器连接有加速度传感器。

在一些可选的实施方案中，各个阻尼器内的导磁滑块的质量之和为网架质量的1-2％。

本申请的有益效果是：本实施例提供的基于磁流变弹性体的半主动调谐质量阻尼器包括多个连杆连接形成的网架，还包括多个阻尼器，每个阻尼器的两端分别与至少一个连杆连接；阻尼器包括中空的套筒、设于套筒内的滑杆及滑动套设于滑杆上的导磁滑块，滑杆的两端分别与套筒两端内壁连接，导磁滑块的外壁绕设有线圈，导磁滑块上固定套设有两个导磁叠环及内壁分别与两个导磁叠环外壁连接的导磁筒，导磁筒的外壁与套筒的内壁连接，线圈位于两个导磁叠环之间；导磁叠环由多个导磁环和多个环形的磁流变弹性体同轴交替布置连接组成。本实施例提供的基于磁流变弹性体的半主动调谐质量阻尼器有效的拓展了减振频带，能够针对主体结构的模态贡献大的振型进行减振，具有更好的减振效果。

附图说明