[发明专利]用于检测TSV的寄生电容的测试电路

权利要求书

1.一种设备，其包括：

第一半导体芯片；及

第一TSV，其穿透所述第一半导体芯片，

其中所述第一半导体芯片包含：

第一电阻器，其耦合在第一电源与第一节点之间；

开关电路，其耦合在所述第一节点与所述第一TSV之间；

衬垫电极，其可操作地耦合到所述第一节点；及

恒定电流源，其可操作地耦合到所述第一节点及所述衬垫电极中的任一者。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一半导体芯片进一步包含耦合在所述第一节点与所述恒定电流源之间的第一晶体管。

3.根据权利要求2所述的设备，

其中所述第一晶体管经配置以在第一操作期间进入接通状态且所述开关电路经配置以在第一操作期间进入断开状态，使得校准电压出现在所述衬垫电极处，且

其中所述第一晶体管经配置以在第二操作期间进入断开状态且所述开关电路经配置以在第二操作期间以一定频率进入接通状态及断开状态，使得测量电压出现在所述衬垫电极处。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述第一半导体芯片进一步包含：

第二晶体管，其耦合在所述第一节点与所述衬垫电极之间；及

第三晶体管，其耦合在第二节点与所述衬垫电极之间，其中所述第二节点在所述第一晶体管与所述恒定电流源之间。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述第二及第三晶体管经配置以在所述第一及第二操作期间分别进入接通状态及断开状态。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述第一、第二及第三晶体管经配置以在第三操作期间分别进入断开状态、断开状态及接通状态，使得恒定电流在所述衬垫电极处流动。

7.根据权利要求4所述的设备，其中所述恒定电流源包含：

第四晶体管及第二电阻器，其串联耦合在所述第二节点与第二电源线之间；及

放大器，其具有耦合到所述第四晶体管的控制电极的输出节点、供应有参考电势的第一输入节点及耦合到所述第四晶体管与所述第二电阻器之间的第三节点的第二输入节点。

8.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

第二半导体芯片，其堆叠在所述第一半导体芯片上；及

第二TSV，其穿透所述第二半导体芯片，

其中所述第一及第二TSV串联耦合。

9.一种用于测量TSV电容的方法，其包括：

在外部衬垫与电流源之间提供第一电路径；

在第一电压节点与所述电流源之间提供第二电路径，所述第二电路径包含具有第一节点的电阻器，所述第二电路径在切断所述第一电路径的情况下耦合所述电流源；

在提供所述第二电路径的时间的至少一部分期间在所述第一节点与所述外部衬垫之间提供第三电路径；及

响应于切断所述第一及第二电路径且提供所述第三电路径而在所述第一电压节点与第二电压节点之间提供第四电路径，所述第四电路径包含所述电阻器及TSV。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第四电路径包含耦合在所述电阻器与所述TSV之间的开关电路。

11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括伴随提供所述第四电路径以预定频率接通及断开所述开关电路。

12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括伴随提供所述第四电路径测量所述外部衬垫的电势。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述开关电路经配置以伴随提供所述第一电路径进入断开状态。

14.根据权利要求10所述的方法，其中所述开关电路经配置以伴随提供所述第二电路径进入断开状态。