[发明专利]显示器及其驱动方法

说明书

本申请公开了一种显示器及其驱动方法。在静态存储阵列的读写阶段，电源控制器切换为第一供电模式，电源发生器输出第一工作电压；在静态存储阵列的非读写阶段，电源控制器切换为第二供电模式，电源发生器输出第二工作电压，其中，第二工作电压小于第一工作电压、且大于所述静态存储阵列保存数据所需的最小电压。基于此，本申请能够降低SRAM的功耗。

技术领域

本申请涉及静态存储领域，具体涉及一种显示器及其驱动方法。

背景技术

SRAM(Static Random-Access Memory,静态随机存取存储器)，是电子系统中不可或缺的重要组成部分之一。SRAM用于数据或指令的临时存储，具有速度快、功耗低、易于嵌入式集成等优势，因此是中央处理器(Central Processing Unit,CPU)中缓存的首选器件。在现代高性能处理器中，SRAM所占芯片的面积已经越来越大，未来几年，随着移动互联网、物联网和可穿戴电子设备的爆发式增长，芯片的功耗将受到严格的要求和严峻的挑战，SRAM首当其冲。因此，如何降低SRAM的功耗，是静态存储领域亟需解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种显示器及其驱动方法，以解决SRAM功耗较大的问题。

本申请提供的一种显示器，包括电源发生器、静态存储阵列、以及连接于电源发生器和静态存储阵列之间的电源控制器，

在所述静态存储阵列的读写阶段，所述电源控制器切换为第一供电模式，所述电源发生器输出第一工作电压；

在所述静态存储阵列的非读写阶段，所述电源控制器切换为第二供电模式，所述电源发生器输出第二工作电压，所述第二工作电压小于第一工作电压且大于所述静态存储阵列保存数据所需的最小电压。

可选地，非读写阶段包括显示器处于息屏模式、待机模式、睡眠模式中一者的阶段。

可选地，静态存储阵列包括一第一子存储区和至少一第二子存储区，第一子存储区的字线与所述电源控制器连接；

显示器还包括至少一开关器件，每一开关器件设置于电源控制器和每一第二子存储区之间，每一第二子存储区的字线与一开关器件连接，开关器件控制地导通电源发生器和第二子存储区；

其中，开关器件为晶体管，晶体管的控制端接收控制信号并导通，输入端与电源控制器连接，输出端与第二子存储区连接。

可选地，开关器件的控制端与电源发生器连接，接收控制信号。

可选地，静态存储阵列的每一静态存储单元与两条位线连接，显示器还包括升压电路、第一开关和第二开关，每一开关分别连接于升压电路和每一位线之间，升压电路与开关器件的控制端连接。

可选地，升压电路包括第三开关和一电容，电容的第一电极通过第一开关和第二开关分别与两条位线连接，第三开关连接于电容的第一电极和开关器件的控制端之间，电容的第二电极接地。

可选地，静态存储阵列的每一静态存储单元与两条位线连接，显示器还包括升压电路、第一开关和第二开关，第一开关和第二开关分别连接于升压电路和每一位线之间，升压电路与开关器件的输入端连接。

可选地，升压电路包括第三开关和一电容，电容的第一电极通过第一开关和第二开关分别与两条位线连接，第三开关连接于电容的第一电极和开关器件的输入端之间，电容的第二电极接地。

可选地，升压电路输出的第三电压和电源发生器产生的第二工作电压之和，等于第一工作电压；

或者，在息屏模式下，第三电压和第二工作电压之和与第一工作电压的比值介于90％～100％；在待机模式或睡眠模式下，第三电压和第二工作电压之和与第一工作电压的比值介于70％～100％。

本申请提供的一种显示器的驱动方法，基于前述任一项所述的显示器，所述方法包括：