[发明专利]带隙基准电路有效
申请号: | 202110947427.2 | 申请日: | 2021-08-18 |
公开(公告)号: | CN113641208B | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 张芳豪 | 申请(专利权)人: | 珠海博雅科技股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;张靖琳 |
地址: | 519080 广东省珠海市唐家湾镇大学路*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基准 电路 | ||
1.一种带隙基准电路,其特征在于,包括:
设置在电源与地之间的启动电路和基准电压生成电路,其中,
所述基准电压生成电路包括:
电流镜电路,包括互为镜像的第五电流路径和第六电流路径,所述第六电流路径包括电流路径依次串联在电源与地之间的第八晶体管、第二三极管和第一电阻器,所述第二三极管的基极与集电极连接,发射极与所述第一电阻器连接;
第七电流路径,所述第七电流路径连接电源,并通过所述第一电阻器接地,用于根据第二启动信号提供第三偏置信号;
基准电流路径,包括依次串联在电源与地之间的第十二晶体管、第二电阻器、第三电阻器和第三三极管,所述第三三极管的基极与集电极连接,发射极接地,集电极连接所述第三电阻器的低电势端,所述第八晶体管和所述第十二晶体管的栅极接收所述第三偏置信号,
所述基准电流路径在所述第三电阻器的高电势端提供基准电压,在所述第二电阻器的高电势端提供第一偏置信号,
所述启动电路用于根据所述第一偏置信号提供第二启动信号,所述第二启动信号用于控制所述基准电压生成电路脱离简并,以控制所述基准电压生成电路的启动,
且在所述基准电压达到稳定的预定值的情况下,所述启动电路的输出节点断开与电源的连接。
2.根据权利要求1所述的带隙基准电路,其特征在于,
所述启动电路包括第一启动路径和第二启动路径,所述第一启动路径用于根据所述第一偏置信号提供第一启动信号,所述第二启动路径用于根据所述第一启动信号提供所述第二启动信号,
所述第一启动路径包括依次串联在电源与地之间第一电流路径和第二电流路径,所述第一电流路径和所述第二电流路径的中间节点对应第一节点,
所述第一电流路径和所述第二电流路径根据所述第一偏置信号的控制分时导通,以在所述第一节点提供第一启动信号。
3.根据权利要求1所述的带隙基准电路,其特征在于,
所述启动电路包括第一启动路径和第二启动路径,所述第一启动路径用于根据所述第一偏置信号提供第一启动信号,所述第二启动路径用于根据所述第一启动信号提供所述第二启动信号,
所述第二启动路径包括依次串联在电源与地之间的第三电流路径和电容器,所述第三电流路径和所述电容器的中间节点对应第二节点,所述第二启动路径在所述第二节点上提供所述第二启动信号,
所述第三电流路径根据所述第一启动信号、所述第一启动信号的反相信号的控制分时导通。
4.根据权利要求3所述的带隙基准电路,其特征在于,
所述电容器包括第六晶体管,所述第六晶体管的栅极连接所述第二节点,衬底、源极和漏极均接地。
5.根据权利要求1所述的带隙基准电路,其特征在于,所述基准电压生成电路还包括:
第十一晶体管,所述第十一晶体管的栅极连接至所述第八晶体管的栅极,源极、漏极和衬底均接电源。
6.根据权利要求1所述的带隙基准电路,其特征在于,
所述第七电流路径包括依次串联在电源至所述第一电阻器之间的第九晶体管和第十晶体管,所述第十晶体管为工作在饱和区的NMOS管,以在所述第九晶体管与所述第十晶体管的中间的第三节点提供所述第三偏置信号,所述第十晶体管的栅极接收所述第二启动信号,
所述第十晶体管的栅极还连接至所述第五电流路径,以在所述启动电路关断后根据所述第五电流路径上的电压偏置维持导通。
7.根据权利要求1所述的带隙基准电路,其特征在于,所述基准电压生成电路还包括:
第四电阻器,连接在所述第三电阻器的高电势端与地之间,所述第四电阻器为可变电阻器。
8.根据权利要求1所述的带隙基准电路,其特征在于,
所述第二电阻器为可变电阻器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于珠海博雅科技股份有限公司,未经珠海博雅科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110947427.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:聚合物颗粒
- 下一篇:基于新型荧光传感器阵列的有机、无机污染物的检测方法