[发明专利]使用多个错误控制操作的存储器数据校正在审

专利信息
申请号: 202110947433.8 申请日: 2021-08-18
公开(公告)号: CN114078547A 公开(公告)日: 2022-02-22
发明(设计)人: 何德平;梁卿 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 彭晓文
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 使用 错误 控制 操作 存储器 数据 校正
【权利要求书】:

1.一种设备,其包括:

存储器阵列;以及

控制器,其与所述存储器阵列耦合且配置成使得所述设备:

接收单个命令以校正在由所述存储器阵列存储的数据中检测到的错误;

至少部分地基于接收到所述单个命令对由所述存储器阵列存储的所述数据进行第一错误控制操作,所述第一错误控制操作使用由所述存储器阵列存储的一或多个不同参考电压读取所述数据;

在进行所述第一错误控制操作之后确定所述错误仍在所述数据中;以及

至少部分地基于接收到所述单个命令且确定所述错误仍在所述数据中对由所述存储器阵列存储的所述数据进行不同于所述第一错误控制操作的第二错误控制操作,所述第二错误控制操作使用与所述存储器阵列的存储信息的存储器单元相关联的一或多个电压分布。

2.根据权利要求1所述的设备,其中进行所述第一错误控制操作包括所述控制器配置成使得所述设备:

将不同于先前参考电压的第一参考电压与从所述存储器阵列的与所述数据相关联的存储器单元输出的信号进行比较,其中所述一或多个不同参考电压包括所述第一参考电压以及所述先前参考电压。

3.根据权利要求1所述的设备,其中进行所述第一错误控制操作包括所述控制器配置成使得所述设备:

将多个参考电压与从所述存储器阵列的存储器单元输出的信号进行比较;以及

每当将不同参考电压与所述信号进行比较时,识别由所述存储器单元存储的数据。

4.根据权利要求1所述的设备,其中进行所述第二错误控制操作进一步包括所述控制器配置成使得所述设备:

识别与所述存储器阵列的存储信息的所述存储器单元相关联的所述一或多个电压分布;以及

至少部分地基于所述一或多个电压分布选择参考电压以读取由所述存储器阵列存储的所述数据。

5.根据权利要求4所述的设备,其中所述控制器进一步配置成使得所述设备:

在选择所述参考电压以读取所述数据之后确定所述错误仍在所述数据中;以及

至少部分地基于所述一或多个电压分布选择不同于所述参考电压的第二参考电压以读取由所述存储器阵列存储的所述数据。

6.根据权利要求1所述的设备,其中进行所述第二错误控制操作包括所述控制器配置成使得所述设备:

分析所述存储器阵列的与所述数据相关联的存储器单元的数据阈值分布;以及

至少部分地基于所述一或多个电压分布选择不同参考电压以与由所述存储器阵列存储的所述数据进行比较,直到在所述数据中校正所述错误为止。

7.根据权利要求1所述的设备,其中所述单个命令包括与进行所述第一错误控制操作以及所述第二错误控制操作两者相关联的单个操作码。

8.根据权利要求1所述的设备,其中:

所述第一错误控制操作包括读取重试操作;且

所述第二错误控制操作包括自动读取校准操作。

9.根据权利要求1所述的设备,其中所述单个命令为读取恢复命令。

10.一种由存储器系统进行的方法,所述方法包括:

接收单个命令以校正在由存储器装置存储的数据中检测到的错误;

至少部分地基于接收到所述单个命令对由所述存储器装置存储的所述数据进行第一错误控制操作,所述第一错误控制操作使用由所述存储器装置存储的一或多个不同参考电压读取所述数据;

在进行所述第一错误控制操作之后确定所述错误仍在所述数据中;以及

至少部分地基于接收到所述单个命令且确定所述错误仍在所述数据中对由所述存储器装置存储的所述数据进行不同于所述第一错误控制操作的第二错误控制操作,所述第二错误控制操作使用与所述存储器装置的存储信息的存储器单元相关联的一或多个电压分布。

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