[发明专利]阵列基板、阵列基板的暗点化修补方法及显示面板在审
申请号: | 202110948088.X | 申请日: | 2021-08-18 |
公开(公告)号: | CN113703237A | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 胡银昌;王飞 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 官建红 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 点化 修补 方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板具有暗点化像素区,所述阵列基板包括:
衬底;
公共电极线,所述公共电极线设置于所述衬底上,所述公共电极线用于与对向基板的公共电极接入相同电位的电压;
暗化像素电极,所述暗化像素电极设置在所述衬底上,且位于所述暗点化像素区,所述暗化像素电极与所述公共电极线间隔设置;以及
导电部,所述导电部连接于所述公共电极线和所述暗化像素电极。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导电部的一端搭接在所述暗化像素电极远离所述衬底的一面,所述导电部的另一端搭接在所述公共电极线远离所述衬底的一面。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述暗化像素电极和所述公共电极线之间具有容置空间,所述导电部位于所述容置空间内,所述导电部的一端与所述暗化像素电极靠近所述容置空间的一面相连,所述导电部的另一端与所述公共电极线靠近所述容置空间的一面相连。
4.根据权利要求2或3所述的阵列基板,其特征在于,所述暗化像素电极和所述公共电极线同层设置。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括对应所述暗化像素电极的第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管与所述暗化像素电极断开设置。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括显示像素电极,所述显示像素电极和所述暗化像素电极构成对应一子像素的像素电极;
所述阵列基板还包括对应所述显示像素电极的第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管与所述显示像素电极电连接。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括对应所述子像素的数据线,所述第一薄膜晶体管包括第一源极和第一漏极,所述第二薄膜晶体管包括第二源极和第二漏极,所述第二源极的一端与所述数据线相连,所述第二源极的另一端与所述第一源极相连,所述第二漏极与所述显示像素电极电连接,所述第一漏极与所述暗化像素电极断开设置。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导电部的材料选自钨、银和金中的一种或多种。
9.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括相对设置的阵列基板和对向基板,所述阵列基板为权利要求1至8任一项所述的阵列基板,所述对向基板包括依次设置的基底以及所述公共电极,所述公共电极位于所述基底靠近所述阵列基板的一侧,且与所述公共电极线相对设置。
10.一种阵列基板的暗点化修补方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一阵列基板,所述阵列基板包括衬底和设置在所述衬底上的公共电极线及多个子像素,每一所述子像素包括像素电极和电连接于所述像素电极的薄膜晶体管,所述像素电极与对应的所述公共电极线间隔设置;
当检测出所述阵列基板中的异常子像素时:
断开所述异常子像素的所述像素电极与对应的所述薄膜晶体管之间的电连接;
在所述异常子像素的所述像素电极和对应的所述公共电极线之间形成导电部,以使所述像素电极和对应的所述公共电极线的电位相同。
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