[发明专利]一种带隙基准电压电路有效
申请号: | 202110950115.7 | 申请日: | 2021-08-18 |
公开(公告)号: | CN113655841B | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 朱光前;张启东;杨银堂 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 西安佩腾特知识产权代理事务所(普通合伙) 61226 | 代理人: | 张倩 |
地址: | 401332 重庆市沙坪*** | 国省代码: | 重庆;50 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基准 电压 电路 | ||
1.一种带隙基准电压电路,其特征在于,包括:
非线性电流产生单元:产生非线性电流;
基准电压产生单元:将非线性电流产生单元生成非线性电流转化为基准电压;
零温度系数电流产生单元:将基准电压转化为零温度系数电流后输出给非线性电流产生单元,进行电流补偿;所述非线性电流产生单元包括:
核心单元:产生PTAT电流;
电流补偿单元:对核心单元中电流支路的电流进行补偿,使非线性电流产生单元产生非线性电流;
所述核心单元包括第一电流支路和第二电流支路;
所述电流补偿单元包括第一电流补偿单元和第二电流补偿单元;
所述电流补偿单元包括:
零温度电流补偿单元:将零温度系数电流产生单元的零温度系数电流进行镜像复制后,对核心单元的电流支路进行电流补偿;
高阶电流补偿单元:产生补偿电流,对核心单元的电流支路进行高阶电流补偿;
所述第一电流补偿单元和第二电流补偿单元分别含有一组高阶电流补偿单元。
2.如权利要求1所述的带隙基准电压电路,其特征在于,
所述零温度电流补偿单元包括:镜像MOS管和三极管;
所述镜像MOS管用于镜像零温度系数的电流;
所述三极管为二极管连接结构,与镜像MOS管连接后给所述核心单元的电流支路提供补偿电流。
3.如权利要求2所述的带隙基准电压电路,其特征在于,
所述高阶电流补偿单元为两组多个MOS并联的电流镜结构。
4.如权利要求3所述的带隙基准电压电路,其特征在于,
所述多个MOS并联电流镜结构中, MOS个数通过控制信号决定并联接入的个数。
5.如权利要求4所述的带隙基准电压电路,其特征在于,
所述高阶电流补偿单元中的两组多个MOS管为不同的类型的MOS管或相同的类型的MOS管。
6.如权利要求1所述的带隙基准电压电路,其特征在于,
所述零温度系数电流产生单元包括:零温度系数电流源和零温度系数电流产生核心单元;
零温度系数电流源:将零温度系数电流通过电流镜镜像给所述非线性电流产生单元;
零温度系数电流产生核心单元:将基准电压转化为零温度系数电流。
7.如权利要求6所述的带隙基准电压电路,其特征在于,
所述零温度系数电流产生单元为将基准电压与电压缓冲器结构连接,通过负反馈使基准电压作用于可调电阻上产生零温度系数电流。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院,未经西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110950115.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。