[发明专利]三维存储器的制作方法

权利要求书

1.一种三维存储器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，所述衬底上具有堆叠体，所述堆叠体的至少一端具有台阶结构；

在所述衬底上形成覆盖所述台阶结构的层间介质层；

在所述层间介质层上形成流体薄膜，使所述流体薄膜远离所述衬底的一侧具有第一表面；

将所述流体薄膜固化，得到具有第二表面的平坦层；

沿所述第二表面对所述层间介质层进行平坦化处理。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述流体薄膜包括有机流体材料和/或无机流体材料。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述流体薄膜包括光阻剂和/或有机流体氧化硅。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其特征在于，在所述层间介质层上形成所述流体薄膜的步骤之前，所述制作方法还包括以下步骤：

在所述层间介质层上覆盖刻蚀缓冲层。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其特征在于，沿所述第二表面对所述层间介质层进行平坦化处理的步骤包括：

沿所述第二表面顺序刻蚀所述平坦层和所述层间介质层，以去除所述平坦层和部分所述层间介质层；

对剩余的所述层间介质层进行平坦化处理。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，沿所述第二表面顺序刻蚀所述平坦层和所述层间介质层的步骤包括：

沿所述第二表面对所述平坦层和所述层间介质层进行干法刻蚀，使剩余的所述层间介质层的远离所述衬底的一侧具有第三水平表面；

湿法刻蚀去除剩余的所述平坦层。

7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述层间介质层与所述平坦层的刻蚀选择比为0.8～1.2：1。

8.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺对所述层间介质层进行平坦化处理。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其特征在于，在沿所述第二表面对所述层间介质层进行平坦化处理的步骤之后，所述制作方法还包括以下步骤：

形成由所述层间介质层贯穿所述堆叠体至所述衬底的沟道阵列和伪沟道阵列，所述伪沟道阵列贯穿所述台阶结构。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述堆叠体包括沿远离所述衬底的方向交替层叠的多层牺牲层和多层隔离层，所述制作方法还包括以下步骤：

将所述牺牲层置换为控制栅结构，以形成栅极堆叠结构，在所述栅极堆叠结构中形成贯穿至所述衬底的共源极。