[发明专利]一种硅胶制品的表面活化处理工艺

说明书

本发明提供了一种硅胶制品的表面活化处理工艺，包括以下步骤：准备硅胶制品、紫外灯，调整硅胶制品与紫外灯之间的距离，对硅胶制品的表面进行清洗；确定紫外灯所发出紫外线的波长参数，开启紫外灯，利用紫外线对硅胶制品的表面进行光照处理，直至紫外线的能量密度达到特定范围，停止光照，取出硅胶制品后自然冷却，得到表面活化的硅胶制品。本发明的表面活化处理工艺，通过紫外光照对硅胶制品表面进行纳米级的改性，降低硅胶制品表面的摩擦系数，从而提升硅胶制品的防尘抗静电能力，同时赋予硅胶制品表面更加顺滑的手感。

技术领域

本发明涉及硅胶表面处理技术领域，具体涉及一种硅胶制品的表面活化处理工艺。

背景技术

硅胶是一种具有开放的多孔结构，其吸附性强，能吸附物质的材料。硅胶常被制作成各种硅胶制品，由于硅胶的特性，导致其表面容易吸附粉尘，并且抗静电能力不足。为了解决这一问题，常规的手段是在硅胶制品表面喷涂一层手感油，以提升硅胶制品表面的细腻程度，让硅胶制品的表面的手感变的更好。但是喷涂工艺是一种高污染工艺，在喷涂过程中会有废气、废水、废物质产生，对环境造成污染。

发明内容

针对以上问题，本发明提供一种硅胶制品的表面活化处理工艺，通过紫外光照对硅胶制品表面进行纳米级的改性，降低硅胶制品表面的摩擦系数，从而提升硅胶制品的防尘抗静电能力，同时赋予硅胶制品表面更加顺滑的手感。

为实现上述目的，本发明通过以下技术方案来解决：

一种硅胶制品的表面活化处理工艺，包括以下步骤：

准备硅胶制品、紫外灯，调整硅胶制品与紫外灯之间的距离，对硅胶制品的表面进行清洗；

确定紫外灯所发出紫外线的波长参数，开启紫外灯，利用紫外线对硅胶制品的表面进行光照处理，直至紫外线的能量密度达到特定范围，停止光照，取出硅胶制品后自然冷却，得到表面活化的硅胶制品。

具体的，紫外线的能量密度达到9000mJ/cm²-20000mJ/cm²，得到表面具有防尘等级的硅胶制品。

具体的，紫外线的能量密度达到20000mJ/cm²-30000mJ/cm²，得到表面具有防尘等级并且手感顺滑的硅胶制品。

具体的，所述紫外线的波长为125nm～260nm。

具体的，所述硅胶制品经过冷却后，还需要将硅胶制品进行清洗、烘干工序，清洗时间不低于10分钟。

具体的，所述清洗的方式为水洗，水洗时间为10～30分钟。

具体的，所述紫外灯与所述硅胶制品表面之间的距离为10mm-30mm。

具体的，使用喷枪对硅胶制品的表面进行清洗。

具体的，光照处理过程中，温度控制在50～70℃范围内。

本发明的有益效果是：

1.本发明公开的硅胶制品的表面活化处理工艺，对硅胶制品依次进行前处理、紫外光照处理、冷却、后处理，能够得到表面顺滑的硅胶制品，无需进行喷涂工艺，对环境无污染；

2.利用特定温度以及特定能量密度的紫外光对硅胶制品表面进行活化，使氢氧根转换成二氧化碳和水分子，以除去硅胶表层表面的氢氧根，改变硅胶制品表面的硅胶分子结构，降低硅胶制品表面的摩擦系数，从而提升硅胶制品的防尘抗静电能力，同时赋予硅胶制品表面更加顺滑的手感。

附图说明

图1为硅胶分子活化前、活化时、活化后的结构示意图。

具体实施方式