[发明专利]一种钴/氧化钴/氧化钼原位电极的制备方法

权利要求书

1.一种钴/氧化钴/氧化钼原位电极的制备方法，其特征在于，具体制备方法为：

S1、制备钴/钼的氧化物或钴/钼的氢氧化物的前驱体：将去结晶水的氯化钴溶于第一溶剂中，然后边搅拌边加入乙酰丙酮钼，随后加入第二溶剂，继续搅拌至溶液澄清，形成钴/钼的氧化物或氢氧化物溶液，将溶液置于水热箱中，在保温温度为80℃ ~120℃下保温4小时，冷却之后将泡沫镍NF浸入其中，随后取出用匀胶机甩出多余溶液，干燥备用；

所述第一溶剂为乙醇和冰乙酸的混合液，其中乙醇与冰乙酸的体积比为1：0.02~0.04，第二溶剂为水-乙醇的混合液，其中乙醇和水的体积比为1：0.03~0.07，第一溶剂与第二溶剂的体积比为1：0.1~0.3；

氯化钴的浓度为0.5~1 mol/L，氯化钴与乙酰丙酮钼的摩尔比为1：0.1~0.2；

S2、电还原：将附着前驱体的NF置于硫酸钠和硼酸的电解液中，利用电化学工作站采用恒电位的方式对NF进行一段时间的电还原，恒电位相对于饱和甘汞电极范围为-2.5 V ~-3.0 V，随后用UP水冲去表面电解液后干燥；

S3、将步骤S1和步骤S2循环多次后制得电极，或者循环多次S1步骤后进行电化学还原制得钴/氧化钴/氧化钼原位电极。

2.根据权利要求1所述的钴/氧化钴/氧化钼原位电极的制备方法，其特征在于，S1、S2中所述的干燥为70℃ ~90℃。

3.根据权利要求1所述的钴/氧化钴/氧化钼原位电极的制备方法，其特征在于，S2中时间为600 ~3000秒。

4.根据权利要求1所述的钴/氧化钴/氧化钼原位电极的制备方法，其特征在于，S3中提及的循环次数均为1 ~5次。