[发明专利]一种高压抗单粒子辐照的PSOI LDMOS器件结构有效
| 申请号： | 202110951397.2 | 申请日： | 2021-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN113594256B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 方健;刘颖;雷一博;王腾磊;魏亚瑞;江秋亮;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/552 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高压 粒子 辐照 psoi ldmos 器件 结构 | ||
1.一种高压抗单粒子辐照PSOI LDMOS器件结构，其特征在于：包括位于底部的P型衬底(1)；位于P衬底(1)右上方的深N型阱区(2)；位于P衬底(1)左上方的P型埋层(3)；位于P型埋层(3)和深N型阱区(2)之间的N型漂移区(4)；深N型阱区(2)的深度大于N型漂移区(4)的深度；位于P型埋层(3)左上方的P型阱区(5)；位于P型埋层(3)右上方的局部埋氧层(6)；位于P型阱区(5)内部左上方的源区P+注入(7)；位于源区P+注入(7)右侧的源区N+注入(8)；位于P型阱区(5)右上方的栅氧化层(9)；位于局部埋氧层(6)上方的源区Ptop注入(10)；位于Ptop注入(10)上方的局部场氧化层(11)；位于局部埋氧层(6)右上方的漏极N+注入(12)；位于栅氧化层(9)上方的多晶硅(13)。
2.根据权利要求1所述的一种高压抗单粒子辐照PSOI LDMOS器件结构，其特征在于：局部场氧化层(11)的材料为二氧化硅或K≤2.8的低K材料。
3.根据权利要求1所述的一种高压抗单粒子辐照PSOI LDMOS器件结构，其特征在于：局部埋氧层(6)上方设有5个源区Ptop注入(10)。
4.根据权利要求1所述的一种高压抗单粒子辐照PSOI LDMOS器件结构，其特征在于：所述第一导电类型掺杂杂质为受主型时第二导电类型掺杂杂质为施主型，此时，漏电极相对源电极偏置为正电位；第一导电类型掺杂杂质为施主型时第二导电类型掺杂杂质为受主型，此时，漏电极相对源电极偏置为负电位。
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