[发明专利]磁控溅射设备有效

专利信息
申请号: 202110952580.4 申请日: 2021-08-19
公开(公告)号: CN113667949B 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 匡友元;张铢仓 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 黄舒悦
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 磁控溅射 设备
【权利要求书】:

1.一种磁控溅射设备,其特征在于,包括:

靶材;和

磁铁组件,设置于所述靶材的一侧,所述磁铁组件包括第一磁铁以及第二磁铁,所述第一磁铁位于所述磁铁组件的第一端部,所述第一磁铁对应于所述靶材的端部设置,所述第一磁铁的位置可以在所述第二磁铁的端部与所述靶材的端壁范围内进行调节;

所述第二磁铁设置于所述第一磁铁远离所述靶材的端部的一侧,所述第二磁铁在所述靶材上的正投影从所述靶材的第一端向第二端延伸,在第一状态下,所述第二磁铁与所述第一磁铁相互分离,和/或,在第二状态下,所述第二磁铁与所述第一磁铁相连;

所述靶材为平面靶,所述第一磁铁的最大宽度大于所述第二磁铁的最大宽度;或者所述靶材为旋转靶,所述第一磁铁在垂直于所述靶材的长度方向上的最大横截面积大于所述第二磁铁在垂直于所述靶材的长度方向上的最大横截面积;

所述靶材包括多节子靶材,多节所述子靶材沿所述子靶材的长度方向排列设置,相邻两节所述子靶材之间形成有缺口;

所述靶材包括第一子靶材和第二子靶材,所述第二子靶材与所述第一子靶材相邻,所述第一子靶材的一端设置有第一凸起部,所述第二子靶材的一端设置有第二凸起部,所述第一子靶材的所述第一凸起部与所述第二子靶材的所述第二凸起部相对设置,形成所述缺口。

2.如权利要求1所述的磁控溅射设备,其特征在于,所述第一磁铁以延伸方向垂直于所述靶材的长度方向的方式设置。

3.如权利要求1所述的磁控溅射设备,其特征在于,所述磁铁组件包括至少两个第一磁铁,至少两个所述第一磁铁间隔设置,并分别在所述第一磁铁与所述靶材的端壁之间延伸。

4.如权利要求3所述的磁控溅射设备,其特征在于,在从所述第二磁铁指向所述靶材的端壁的方向上,至少两个所述第一磁铁相互远离。

5.如权利要求1至4任一项所述的磁控溅射设备,其特征在于,所述第二磁铁的延伸方向与所述靶材的长度方向相交;或者所述第二磁铁的延伸方向与所述靶材的长度方向平行。

6.如权利要求1至4任一项所述的磁控溅射设备,其特征在于,所述磁铁组件还包括第三磁铁,所述第三磁铁位于所述磁铁组件的第二端部,所述第三磁铁对应于所述靶材的另一端部设置,所述第三磁铁的位置可调。

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