[发明专利]一种基于正负脉冲的陶瓷基板表面镀铜方法在审
申请号: | 202110952652.5 | 申请日: | 2021-08-19 |
公开(公告)号: | CN113789513A | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 管鹏飞;贺贤汉;王斌;葛荘 | 申请(专利权)人: | 上海富乐华半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C28/02 | 分类号: | C23C28/02;C25D3/38;C25D5/18;C25D5/54;C23C14/02;C23C14/18;C23C14/35;H05K3/24 |
代理公司: | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人: | 赵建敏 |
地址: | 200444 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 正负 脉冲 陶瓷 表面 镀铜 方法 | ||
1.一种基于正负脉冲的陶瓷基板表面镀铜方法,其特征在于:具体步骤如下:
步骤一、瓷片清洗,去除陶瓷表面污渍;
步骤二、磁控溅射;
步骤三、图形转移,利用黄光微影制程完成图形转移;
步骤四、正反脉冲电镀,使金属层增厚;
其中:正向脉冲电流密度为1—5ASD,正向脉冲持续时间10—100ms,反向脉冲电流密度为2—20ASD,反向脉冲持续时间0.5—8ms;
步骤五、去膜蚀刻,蚀刻出所需的图形;
步骤六、表面处理。
2.根据权利要求1所述的一种基于正负脉冲的陶瓷基板表面镀铜方法,其特征在于:步骤四中正反脉冲电镀采用的电镀液为酸性镀铜溶液,CuSO4·5H2O浓度为40—140g/L,H2SO4浓度为180—240g/L,HCl浓度为40—80ppm,光亮剂浓度1—3ml/L,整平剂浓度10—20ml/L,余量为水。
3.根据权利要求2所述的一种基于正负脉冲的陶瓷基板表面镀铜方法,其特征在于:所述光亮剂聚二硫二丙烷磺酸钠、甲苯基聚二硫丙烷磺酸钠、醇硫基丙烷磺酸钠中的一种或几种混合;所述整平剂为乙基硫脲、氨基硫脲、酰基硫脲中的一种或几种混合。
4.根据权利要求1所述的一种基于正负脉冲的陶瓷基板表面镀铜方法,其特征在于:步骤二中所述磁控溅射是利用辉光放电产生的Ar离子轰击靶材来实现金属薄膜在瓷片上沉积。
5.根据权利要求1所述的一种基于正负脉冲的陶瓷基板表面镀铜方法,其特征在于:步骤二中所述磁控溅射为在陶瓷基板表面溅射一层TiW层和一层Cu层,使陶瓷表面导电。
6.根据权利要求5所述的一种基于正负脉冲的陶瓷基板表面镀铜方法,其特征在于:TiW层厚度为50—300nm,Cu层厚度为100—1000nm。
7.根据权利要求1所述的一种基于正负脉冲的陶瓷基板表面镀铜方法,其特征在于:步骤一中所述清洗为通过除油剂和酸洗去除陶瓷表面的油污和杂质。
8.根据权利要求7所述的一种基于正负脉冲的陶瓷基板表面镀铜方法,其特征在于:所述清洗具体方式为在无水乙醇、异丙醇、丙酮中的一种溶剂或几种混合液中常温超声5min-30min,随后在HF溶液中进行微蚀1-3min、超声水洗1-3min、溢流水洗、吸水滚轮、80℃-100℃的热风烘干3-5min。
9.根据权利要求1所述的一种基于正负脉冲的陶瓷基板表面镀铜方法,其特征在于:步骤六中,所述表面处理方式为防氧化、化学镍金、化学镀银或电镀镍金。
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